光刻机行业发展概览报告2024-2026.pptxVIP

2024-2026光刻机行业发展概览报告汇报人：吴姿纶2024-08-01FROMBAIDUWENKU

定义或者分类特点产业链发展历程政治环境商业模式目录CONTENTSFROMBAIDUWENKU经济环境社会环境技术环境发展驱动因素行业壁垒行业风险行业现状行业痛点问题及解决方案行业发展趋势前景机遇与挑战竞争格局

经济环境社会环境技术环境发展驱动因素行业壁垒行业风险行业现状目录CONTENTSFROMBAIDUWENKU行业痛点问题及解决方案行业发展趋势前景机遇与挑战竞争格局

01定义或者分类特点FROMBAIDUWENKUCHAPTER

什么是光刻机光刻设备是一种投影曝光系统，由紫外光源、光学镜片、对准系统等部件组装而成。在半导体制作过程中，光刻设备会投射光束，穿过印着图案的光掩膜版及光学镜片，将线路图曝光在带有光感涂层的硅晶圆上。通过蚀刻曝光或未受曝光的部份来形成沟槽，然后再进行沉积、蚀刻、掺杂，架构出不同材质的线路。此工艺过程被一再重复，将数十亿计的MOSFET或其他晶体管建构在硅晶圆上，形成一般所称的集成电路。光刻技术是指光刻胶在特殊波长光线或者电子束发生化学变化，通过曝光、显影、刻蚀等工艺过程，将设计在掩膜版上的图形转移到衬底上的图形精细加工技术。光刻机工作原理:激光器作为光源发射光束穿透掩膜版及镜片，经物镜补偿光学误差，将线路图曝光在带有光感涂层的硅晶圆上，然后显影在硅片上，理论上相当于与照相机加投影仪组合。光刻机的构造分为:照明系统(光源+产生均匀光的光路)、Stage系统、镜头组、搬送系统、Alignment系统。此外光刻机工作温度必须保持在23度，确保硅片在恒温和无尘环境。光刻机主要性能指标:支持基片尺寸范围、分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。光刻机性能决定了晶体管的尺寸，晶体管的尺寸对于芯片的性能具有重大意义。随着科技高速的发展，对高性能芯片需求越来越高，不断追求尺寸更小、性能更强的芯片。定义

02产业链FROMBAIDUWENKUCHAPTER

镜头、光源上游光刻机中游芯片设计公司、垂直整合制造商、晶圆管代工厂、、下游产业链010203

03发展历程FROMBAIDUWENKUCHAPTER

1965年，英特尔公司创始人之一戈登摩尔博士提出摩尔定律,预言半导体集成电路密度每年将会翻倍，此定律为半导体领域的原生驱动力。发展历程1960-70s1980-90s2000s2010s尼康和佳能两大光学巨头公司在东京电子、日立、迪恩士等一系列配套日本厂商的支持下，在1984年后主导着全球光刻机领域,市场份额占比达40。GCA公司，随后推出真正具有现代意义的自动化步进式光刻机Stepper。1984年4月，ASML正式成立。1985年ASML与蔡司(Zeiss)公司合作改进光学系统，凭借PAS-2500产品占有10市场份额。2002年，台积电公司林本坚博士提出“浸没式光刻机技术”打破困扰全球光刻机领域发展长达20多年无法突破193nm光源的技术难题。2003年，ASML和与台积电合作研究浸没式光刻机技术”解决方案，并成功推出第一台具备浸没式光刻机技术的产品。EUV极紫外光刻技术是制程突破10nm的关键，2010年ASML公司成功研发首台EUV光刻机NXE:3100。2013年，ASML收购准分子激光源巨头Cymer，同年推出NXE:3300B,2017年推出第三款EUV光刻机NXE:3400B。目前为止，ASML凭借EUV光刻机,成为光刻机领域超高端市场的垄断企业，最新EUV极紫外光技术能达到5nm精度。中国上海微电子SMEE，已从90nm制程一举突破28nm工艺，在后道封装光刻机领域，全球市占率为40%。光刻机的进化其实是不断降低波长的进程，光源波长决定晶体管线宽，波长越短线宽越小然而芯片性能就越强

04政治环境FROMBAIDUWENKUCHAPTER

描述

发改委:《战略性新兴产业重点产品和服务指导目录》:在电子核心产业中将集成电路、新型元器件列入战略性新兴产业重点产品目录。

工信部:《扩大和升级信息消费三年行动计划(2018-2020)》:加大资金支持力度，支持信息消费前沿技术研发，拓展各类新型产品和融合应用。各地工业和信息化、发展改革主管部门要进一步落实力度。

:《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策》:国家鼓励集成电路设计、装备、材料、封装、测试企业和软件企业，自获利年度起，第一年至第二年免征收企业所得税，第三年至第五年按照25%的法定税率或减半。

政治环境1

政治环境发改委《战略性新兴产业重点产品和服务指导目录》:在电子核心产业中将集成电路、新型元器件列入战略性新兴产业重点产品目录。工信部《扩大和升级信息消费三年行动计划(2018-2