CN110970402B 电容器阵列结构、半导体器件及其制备方法 （长鑫存储技术有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN110970402B(45)授权公告日2025.07.15

(21)申请号201811151394.5

(22)申请日2018.09.29

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN110970402A

(43)申请公布日2020.04.07

(73)专利权人长鑫存储技术有限公司

地址230000安徽省合肥市经济技术开发

区翠微路6号海恒大厦630室

审查员陈俊

(72)发明人吴双双

(51)Int.CI.

H10D1/68(2025.01)

H10B12/00(2023.01)

(56)对比文件

CN108155152A,2018.06.12

CN1241031A,2000.01.12权利要求书3页说明书14页附图14页

(54)发明名称

电容器阵列结构、半导体器件及其制备方法

(57)摘要

CN110970402B本发明提供了一种电容器阵列结构、半导体器件及其制备方法，在原有电容阵列结构的边界基础上增加一由绝缘材料形成的边界保护层，能够将在导电接触插塞制作工艺中由于电容阵列结构边界不平整产生的裂缝与电容阵列结构边界分隔开，从而避免因所述裂缝而造成导电接触

CN110970402B

CN110970402B权利要求书1/3页

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1.一种电容器阵列结构，其特征在于，包括：

衬底，具有用于形成电容器阵列的器件区；

下电极层，设置在所述衬底的器件区上，且所述下电极层具有呈阵列排布的多个筒状结构；

电容介质层，覆盖在所述下电极层的内外表面上；

上电极层，覆盖于所述电容介质层的表面上；

上电极填充层；覆盖在所述上电极层的表面上并填满所述上电极层中的间隙，所述上电极填充层具有凹凸不平形貌的外侧壁；以及，

边界保护层，所述边界保护层至少覆盖在所述上电极填充层的所述外侧壁上，且所述边界保护层为绝缘材料；

上电极覆盖层，所述上电极覆盖层覆盖在所述上电极填充层的表面上，并具有与所述上电极填充层的所述外侧壁对应的不平整外侧壁；且所述电容介质层、所述上电极层、所述上电极填充层以及所述上电极覆盖层依次延伸覆盖在整个所述器件区的表面上；所述边界保护层至少覆盖所述上电极覆盖层的所述不平整外侧壁上。

2.如权利要求1所述的电容器阵列结构，其特征在于，所述边界保护层覆盖在所述上电极覆盖层的上表面和所述不平整外侧壁上。

3.如权利要求1所述的电容器阵列结构，其特征在于，所述衬底上还具有位于所述器件区外围的外围区，所述外围区中形成有导电结构；所述电容器阵列结构还包括层间介质层，所述层间介质层不仅覆盖在具有所述边界保护层的器件区的表面上，还延伸覆盖在所述外围区上；所述层间介质层中形成有位于所述器件区中的导电接触插塞以及位于所述外围区中的导电接触插塞，所述器件区中的导电接触插塞与所述器件区中的所述上电极填充层电接触，所述外围区中的导电接触插塞与所述外围区中的导电结构电接触。

4.如权利要求3所述的电容器阵列结构，其特征在于，所述边界保护层延伸覆盖在所述外围区的表面上。

5.如权利要求1至4中任一项所述的电容器阵列结构，其特征在于，还包括横向支撑层，所述横向支撑层位于所述器件区的衬底上并横向连接所述下电极层的多个所述筒状结构，其中，所述上申极填充层的所述外侧壁的凹凸不平形貌对应于所述下申极的筒状结构外部的所述横向支撑层。

6.如权利要求5所述的电容器阵列结构，其特征在于，所述横向支撑层包括一顶层支撑层、至少一层中间支撑层及一底层支撑层，所述顶层支撑层位于所述下电极层的筒状结构的顶部外围，所述中间支撑层位于所述下电极层的筒状结构的中间部位，所述底层支撑层位于所述下电极层的筒状结构的底部外围。

7.如权利要求1至4中任一项所述的电容器阵列结构，其特征在于，所述衬底中还形成有多个电容接触节点，所述下电极层在各个所述筒状结构的底部与相应的所述接触节点相

连接。

8.一种半导体器件，其特征在于，包括如权利要求1至7中任一项所述的电容器阵列结构。

9.一种电容器阵列结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供一具有器件区的衬底，形成交替层叠的牺牲层和支撑层于所述衬底上；

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