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化学机械抛光单晶氧化镁基片用的抛光液

原料配比

原料

配比（质量份）

磨料

0.5~30

抑制剂

0.0001~1

络合剂

0.01~10

去离子水

余量

制备方法取磨料，用去离子水稀释，在强烈搅拌下，加入抑制剂、络合剂，调至所需的PH值，即为成品。

原料配伍本品各组分质量份配比范围为：磨料0.5~30、抑制剂0.0001~1、络合剂0.01~10、去离子水余量。

所述磨料选自SiO2、ZrO2、Al2O3、TiO2、MgO或CeO2的水溶胶的一种或两种及以上的混合物；磨料粒径为10～500nm；

所述抑制剂为五元环化合物包括苯并三唑、1,2,4-三唑、1,2,3-三唑、苯并咪唑、5-苯基-IH-四唑中的一种或两种及以上的混合物。

所述络合剂为含有磷氧双键（P＝0）的有机酸、有机酸盐、无机酸、无机酸盐。选自二乙烯三胺五甲叉膦酸、2-膦酸丁烷-1,2,4-三羧酸、2-羟基膦酰基乙酸、羟基乙叉二膦酸、氨基三甲叉膦酸、乙二胺四甲叉膦酸、己二胺四甲叉膦酸、多氨基多醚基甲叉膦酸、双1,6-亚己基三胺五甲叉膦酸、羟基乙叉二膦酸钠、羟基乙叉二膦酸二钠、羟基乙叉二膦酸四钠、羟基乙叉二膦酸钾、氨基三甲叉膦酸四钠、氨基三甲叉膦酸钾、乙二胺四甲叉膦酸五钠、2-膦酸丁烷-1,2,4-三羧酸四钠、二乙烯三胺五甲叉膦酸七钠、磷酸、亚磷酸、次磷酸、焦磷酸、多聚磷酸、磷酸氢二按、磷酸二氢按、磷酸氢钙、磷酸钙、焦磷酸钙、磷酸二氢钾、磷酸氢二钾、酸式焦磷酸钠、磷酸二氢钠、磷酸氢二钠、磷酸钠、焦磷酸钠、磷酸钾、聚偏磷酸钾、焦磷酸钾、磷酸铝钠、偏磷酸钠、焦磷酸钠、磷酸二氢钙、酸式焦磷酸钠中的一种或两种及以上的混合物。

产品应用本品主要用作单晶氧化镁基片的抛光。

产品特性本品抛光去除率高，抛光样品表面粗糙度低，表面无划痕和凹坑等缺陷，抛光液的配制简便，成本低。

参考文献中国专利公告CN－201010010121.6