化学机械抛光液 (2).docVIP

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  • 2026-01-23 发布于河北
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化学机械抛光液

原料配比

原料

配比(质量份)

二氧化硅(120nm)

15

胺类化合物

3

表面活性剂

0.04

去离子水

余量

制备方法将各组分简单混合均匀,用PH调节剂调节至所需的PH值,即得抛光液。

原料配伍本品各组分质量份配比范围为:二氧化硅10~30、胺类化合物0.1~3、表面活性剂0.005~0.05、去离子水余量。

所述的二氧化硅较佳的为溶胶型二氧化硅,其为单分散的二氧化硅胶体颗粒的水溶液体系,其中二氧化硅胶体颗粒的浓度较佳的为20~50%,更佳的为30%。所述的二氧化硅的粒径较佳的为30~120nm。

所述的胺类化合物较佳地选自氨三乙酸、氨三乙酸盐、氨三乙酸甲酯、氨三乙酸乙酯、氨三乙酸丙酯、氨三乙酸丁酯、亚氨基二乙酸、亚氨基二乙酸盐、亚氨基二乙酸甲酯、亚氨基二乙酸乙酯、亚氨基二乙酸丙酯、亚氨基二乙酸丁酯、氨基甲酰胺或亚氨基酸铵类;最佳的为氨三乙酸、亚氨基二乙酸或氨基甲酰胺。

所述的表面活性剂较佳的为非离子型和/或两性型表面活性剂,更佳的为月桂酞基丙基氧化胺、十二烷基二甲基氧化胺(OA-12、椰油酰胺基丙基甜菜碱(CAB-30)、吐温20(Tween20)、十二烷基二甲基甜菜碱(BS-12)、椰油酰胺丙基甜菜碱(CAB-35)和椰油脂肪酸二乙醇酰胺(6501)中的一种或多种。

使用非离子型或两性型表面活性剂时,通过调整表面活性剂的种类,能够得到不同的多晶硅去除速率,从而实现调节多晶硅去除速率的目的。如,十二烷基二甲基甜菜碱对多晶硅的去除速率很大,而椰油酰胺丙基甜菜碱的多晶硅去除速率低,同时使用这两种表面活性剂,得到的多晶硅去除速率介于单独使用时的去除速率之间。

根据工艺实际需要,可向本品的抛光液中添加本领域常规添加的辅助性试剂,如粘度调节剂、醇类或醚类试剂、溶胶型二氧化硅稳定剂、杀菌剂等。

本品所述的抛光液的pH值较佳的为9~12,更佳的为10~12。

产品应用本品主要用作化学机械抛光液。

产品特性

(1)本品提供了一种胺类化合物在抛光氧化物中的应用;

(2)本品所述的胺类化合物能够提升氧化物介电质的抛光速率;

(3)含有本品所述的胺类化合物的化学机械抛光液,具有较低的磨料含量、较高的二氧化硅去除速率;

(4)本品优选的实施例中使用了非离子型和/或两性型表面活性剂,能够得到不同的多晶硅去除速率,从而实现调节多晶硅去除速率的目的。

参考文献中国专利公告CN-200810042567.X

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