CN119300447A 金刚石半导体器件及其制作方法 （中国电子产品可靠性与环境试验研究所）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119300447A(43)申请公布日2025.01.10

(21)申请号202411232910.2

(22)申请日2024.09.04

(71)申请人中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

地址511370广东省广州市增城区朱村街

朱村大道西78号

(72)发明人王宏跃柳月波何亮刘红辉陈媛

(74)专利代理机构华进联合专利商标代理有限公司44224

专利代理师宋宸

(51)Int.CI.

H10D64/20(2025.01)

H10DH01L

64/01(2025.01)21/28(2025.01)

H10D64/62(2025.01)

权利要求书1页说明书7页附图4页

(54)发明名称

金刚石半导体器件及其制作方法

(57)摘要

CN119300447A本申请涉及一种金刚石半导体器件及其制作方法。金刚石半导体器件包括：器件主体；金电极，金电极设置在器件主体的表面；介质层，介质层设置在器件主体的表面，介质层围绕金电极；黏附金属层，黏附金属层分别连接金电极和介质层，黏附金属层用于引出电极。通过在器件主体的表面设置围绕金电极的介质层，并设置黏附金属层分别连接金电极和介质层，通过黏附金属层和金电极来引出电极，由于介质层与器件主体之间的黏附性较强，且黏附金属层与介质层之间的黏附性较强，因此，黏附金属层可以起到对金电

CN119300447A

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CN119300447A权利要求书1/1页

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1.一种金刚石半导体器件，其特征在于，包括：

器件主体；

金电极，所述金电极设置在所述器件主体的表面；

介质层，所述介质层设置在所述器件主体的表面，所述介质层围绕所述金电极；

黏附金属层，所述黏附金属层分别连接所述金电极和所述介质层，所述黏附金属层用于引出电极。

2.根据权利要求1所述的金刚石半导体器件，其特征在于，所述介质层的厚度大于所述金电极的厚度，所述介质层覆盖所述金电极的顶表面的一部分。

3.根据权利要求1所述的金刚石半导体器件，其特征在于，所述黏附金属层与所述介质层的交界面完全包围所述黏附金属层与所述金电极的交界面。

4.根据权利要求1所述的金刚石半导体器件，其特征在于，所述介质层的材料为二氧化硅、氮化硅、氧化铝中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的金刚石半导体器件，其特征在于，所述黏附金属层的材料为钛、镍中的至少一种。

6.根据权利要求1至5任一项所述的金刚石半导体器件，其特征在于，还包括：加固金属层，所述加固金属层设置在所述黏附金属层上，所述加固金属层用于引出电极。

7.根据权利要求6所述的金刚石半导体器件，其特征在于，所述加固金属层的材料为铝、金中的至少一种。

8.根据权利要求6所述的金刚石半导体器件，其特征在于，所述介质层的厚度为10纳米至100纳米，所述黏附金属层的厚度为10纳米至50纳米，所述加固金属层的厚度大于1微米。

9.一种金刚石半导体器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供器件主体；其中，所述器件主体的表面设置有金电极；

在所述器件主体的表面上形成介质层；其中，所述介质层围绕所述金电极；

在所述介质层上开孔以露出所述金电极；

在所述介质层和所述金电极上形成黏附金属层；其中，所述黏附金属层分别连接所述金电极和所述介质层，所述黏附金属层用于引出电极。

10.根据权利要求9所述的金刚石半导体器件的制作方法，其特征在于，所述方法还包

括：

在所述黏附金属层上形成加固金属层；其中，所述加固金属层用于引出电极。

CN119300447A说明书1/7页

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金刚石半导体器件及其制作方法

技术领域

[0001]本申请涉及金刚石半导体技术领域，特别是涉及一种金刚石半导体器件及其制作方法。

背景技术

[0002]金刚石材料作为第四代超宽禁带半导体材料，其在多个领域展现出独特的优势和应用前景。金刚石作为碳的同素异形体，具有极其坚固和稳定的晶体结构，其结构中的碳原子以SP3杂化方式相互连接。这使得金刚石具有一系列出色的物理特性，如击穿场强高、载流子迁移率大、散热能力强，以及耐高温、耐腐蚀等，