CN118676239A 基于Bi2Te3的双i型异质结红外探测器及其制作方法 （广州市南沙区北科光子感知技术研究院）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118676239A

(43)申请公布日2024.09.20

(21)申请号202411147335.6H01L31/0336(2006.01)

H01L31/18(2006.01)

(22)申请日2024.08.21

(71)申请人广州市南沙区北科光子感知技术研

究院

地址511400广东省广州市南沙区珠江街

南江二路8号9栋1层、2层

申请人北京信息科技大学

(72)发明人祝连庆肖惠锦鹿利单陈伟强

董明利何彦霖

(74)专利代理机构北京慧智兴达知识产权代理

有限公司11615

专利代理师李丽颖

(51)Int.Cl.

H01L31/105(2006.01)

H01L31/032(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图3页

(54)发明名称

基于BiTe的双i型异质结红外探测器及其

23

制作方法

(57)摘要

本发明涉及红外探测器技术领域，提供了一

种基于BiTe的双i型异质结红外探测器及其制

23

作方法，包括衬底、MoSe材料层、BiTe材料层、

223

WS材料层、源电极以及漏电极；MoSe材料层设

22

置在衬底表面；BiTe材料层设置在所述衬底表

23

面且BiTe材料层的一端与MoSe材料层的表面

232

接触，与MoSe材料层形成i型异质结；WS材料层

22

设置在衬底表面且所述WS材料层的一端与所述

2

BiTe材料层的表面接触，与BiTe材料层形成i

2323

型异质结；源电极设置在衬底表面且与MoSe材

2

料层相接触，漏电极设置在衬底表面且与WS材

2

A料层相接触，BiTe材料层不与源电极、漏电极

23

9接触。本发明有效抑制了光生电子‑空穴对的层

3

2

6间复合和界面捕获效应，从而提高了红外探测器

7

6

8器的光电转换效率和响应速度。

1

1

N

C

CN118676239A权利要求书1/2页

1.一种基于BiTe的双i型异质结红外探测器，其特征在于，包括衬底、MoSe材料层、

232

BiTe材料层、WS材料层、源电极以及漏电极；

232

MoSe材料层设置在所述衬底表面；