CN118040476A 适用于倒装焊的氮化镓基激光器管芯结构及其制作方法 （广东中科半导体微纳制造技术研究院）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118040476A

(43)申请公布日2024.05.14

(21)申请号202211420387.7H01S5/343(2006.01)

H01S5/024(2006.01)

(22)申请日2022.11.14

(71)申请人广东中科半导体微纳制造技术研究

院

地址528000广东省佛山市南海区狮山镇

科教路1号

申请人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿

生研究所

(72)发明人张书明冯美鑫孙钱

(74)专利代理机构南京利丰知识产权代理事务

所(特殊普通合伙)32256

专利代理师王锋

(51)Int.Cl.

H01S5/32(2006.01)

H01S5/323(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图3页

(54)发明名称

适用于倒装焊的氮化镓基激光器管芯结构

及其制作方法

(57)摘要

本申请公开了一种适用于倒装焊的氮化镓

基激光器管芯结构及其制作方法。所述氮化镓基

激光器管芯结构包括外延结构；该外延结构包括

第一、第二欧姆接触电极接触层，第一、第二光学

限制层，第一、第二波导层、有源区等；并且该外

延结构还包括台阶结构、脊型结构和凹槽结构，

台阶结构分布在该外延结构于激光器谐振腔上

的两侧边缘部；凹槽结构沿激光器谐振腔方向分

布在脊型结构两侧，并且凹槽结构的槽口、槽底

分别设置于第二欧姆接触电极接触层表面、第二

波导层内部。本申请可以有效克服在将激光器管

A芯与高热导率过渡热沉倒装焊接在一起时，因管

6芯倾斜、焊料从侧边溢出引起短路等问题，从而

7

4

0大幅提高激光器管芯倒装焊接的可靠性和成品

4

0

8率。

1

1

N

C

CN118040476A权利要求书1/2页

1.一种适用于倒装焊的氮化镓基激光器管芯结构，包括外延结构，所述外延结构包括

沿第一方向依次层叠的第一欧姆接触电极接触层、第一光学限制层、第一波导层、有源区、

第二波导层、第二光学限制层和第二欧姆接触电极接触层；其特征在于：

所述外延结构还包括台阶结构、脊型结构和凹槽结构，所述台阶结构分布在所述外延

结构于第二方向上的两侧边缘部，所述台阶结构具有第一台阶面和第二台阶面，所述第一

台面、第二台阶面分别与所述第一欧姆接触电极接触层、第二欧姆接触电极接触层的局部

表面重合，所述第二方向为平行于激光器谐振腔的方向，所述第一方向垂直于第二方向；

所述脊型结构由所述第二欧姆接触电极接触层、第二光学限制层和第二波导层的局部

区域配合形成，且所述脊型结构的高度小于所述第二欧姆接触电极接触层、第二光学限制

层和第二波导层的厚度之和；

所述凹槽结构沿第二方向分布在脊型结构两侧，并且所述凹槽结构的槽口、槽底分别

设置于所述第二欧姆接触电极接触层表面、第二波导层内部。

2.根据权利要求1所述的适用于倒装焊的氮化镓基激光器管芯结构，其特征在于还包

括：

绝缘介质层，所述绝缘介质层连续覆盖所述台阶结构的表面、凹槽结构的内壁及脊型

结构的侧壁，但所述脊型结构顶端面的至少局部区域从所述绝缘介质层中暴露出；

第二欧姆接触电极，所述第二欧姆接触电极设置在所述绝缘介质层上，且所述第二欧

姆接触电极的局部区域与所述脊型结构顶端面结合并形成欧姆接触。

3.根据权利要求1或2所述的适用于倒装焊的氮化镓基激光器管芯结构，其