CN117038468A Ic载板的制作方法和ic载板 （电子科技大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117038468A(43)申请公布日2023.11.10

(21)申请号202310960232.0

(22)申请日2023.07.31

(71)申请人电子科技大学

地址610000四川省成都市高新区(西区)

西源大道2006号

(72)发明人杨鹏飞薛卫东向勇邹广平柯亮宇

(74)专利代理机构深圳市智享知识产权代理有限公司44361

专利代理师邹学琼

(51)Int.CI.

HO1L21/48(2006.01)

HO1L23/498(2006.01)

权利要求书1页说明书8页附图5页

(54)发明名称

IC载板的制作方法和IC载板

(57)摘要

CN117038468A本发明涉及IC载板技术领域，特别涉及一种IC载板的制作方法和IC载板，本发明提供的IC载板的制作方法，包括以下步骤：获取带有金手指的半成品IC板；对半成品IC板进行铜面改质，使半成品IC板的铜面满足第一粗糙度；对铜面满足第一粗糙度的半成品IC板进行微蚀；对完成微蚀的半成品IC板上的铜面进行电镀软金，以形成带有金手指的铜面满足第二粗糙度的IC载板。通过对半成品IC板进行铜面改质，提高了半成品IC板的铜面的粗糙度，在进行电镀软金后形成的金面的粗糙度得以提高，使IC载板的金面变得更粗

CN117038468A

CN117038468A权利要求书1/1页

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1.一种IC载板的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：

获取带有金手指的半成品IC板；

对所述半成品IC板进行铜面改质，使所述半成品IC板的铜面满足第一粗糙度；

对铜面满足所述第一粗糙度的所述半成品IC板进行微蚀；

对完成微蚀的所述半成品IC板上的铜面进行电镀软金，使带有所述金手指的铜面形成金面，获得所述金面满足第二粗糙度的IC载板。

2.如权利要求1所述的IC载板的制作方法，其特征在于：对所述半成品IC板进行铜面改质，使所述半成品IC板的铜面满足第一粗糙度之前，所述方法还包括：

对所述半成品IC板进行阻焊固化，以在所述半成品IC板上形成阻焊层；

对形成所述阻焊层的所述半成品IC板依次进行前处理、压膜、曝光以及显影，以使所述半成品IC板上形成线路图案。

3.如权利要求1所述的IC载板的制作方法，其特征在于：对所述半成品IC板进行铜面改质，使所述半成品IC板的铜面满足第一粗糙度，具体包括：

使所述半成品IC板在脱脂槽中的第一溶液中以预设线速运动预设第一时间，以进行脱脂处理；

使脱脂处理完成的所述半成品IC板在超粗化槽中的第二溶液中以预设线速运动预设第二时间，以进行超粗化处理；

使超粗化处理完成的所述半成品IC板在盐酸洗槽中的第二溶液中以线速运动预设第三时间，以进行酸洗处理，完成所述半成品IC板的铜面改质，使所述半成品IC板的铜面满足第一粗糙度。

4.如权利要求3所述的IC载板的制作方法，其特征在于：所述脱脂处理采用铜离子浓度小于18g/L、双氧水浓度为15g/L-25g/L以及硫酸浓度为60g/L-80g/L的第一溶液；所述超粗化处理采用铜离子浓度为16.5g/L-27g/L和浓缩率为-9%-9%的第二溶液；所述酸洗处理采用铜离子浓度小于1.8g/L和盐酸浓度为1.1mol/L-1.35mol/L的第三溶液。

5.如权利要求4所述的IC载板的制作方法，其特征在于：所述超粗化处理的所述预设第二时间为35s-40s,所述超粗化处理对所述半成品IC板的第一微蚀量为0.4um-0.5um。

6.如权利要求1所述的IC载板的制作方法，其特征在于：所述半成品IC板的铜面满足的第一粗糙度Ra为0.55um-0.65um。

7.如权利要求1所述的IC载板的制作方法，其特征在于：所述微蚀对半成品IC板的第二微蚀量为0.4um-0.5um。

8.如权利要求1所述的IC载板的制作方法，其特征在于：对满足第一粗糙度的所述半成

品IC板进行微蚀之后，所述方法还包括：

对微蚀完成的所述半成品IC板依次进行喷砂和除油，以对所述半成品IC板进行清洁。

9.一种IC载板，其特征在于：采用如权利要求1-8的任一项所述的IC载板的制作方法制作得到。

10.如权利要求9所述的IC载板，其特征在于：所述IC载板的金面满足的第二粗糙度Ra为0.28um-0.35