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- 约 18页
- 2026-01-30 发布于重庆
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(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN116937138A(43)申请公布日2023.10.24
(21)申请号202310691105.5
(22)申请日2023.06.12
(71)申请人南京邮电大学
地址210003江苏省南京市鼓楼区新模范
马路66号
(72)发明人朱刚毅邵衡马迪田沐霏
(74)专利代理机构南京纵横知识产权代理有限公司32224
专利代理师范青青
(51)Int.CI.
H01Q
HO1L
HO1L
HO1L
HO1L
1/36(2006.01)
33/12(2010.01)
33/06(2010.01)
33/32(2010.01)
33/00(2010.01)
B05D
C23C
C23C
H01QH01QG01S
1/00(2006.01)
14/30(2006.01)
14/18(2006.01)
19/13(2006.01)3/08(2006.01)7/03(2006.01)
权利要求书2页说明书5页附图4页
(54)发明名称
一种氮化物LED有源微机械雷达锅及制作方法
(57)摘要
CN116937138A本发明公开了纳米声波操控技术领域的一种氮化物LED有源微机械雷达锅及制作方法,旨在解决现有技术中雷达锅在转变探测方向时不能进行发光的问题。雷达锅包括硅衬底层,还包括微腔结构,所述微腔结构的中心由硅衬底层的顶部支撑,其余部分处于悬空状态;所述雷达锅在转变探测方向时,所述微腔结构能够产生自发辐射的荧光,照向所述雷达锅的探测方向;本申
CN116937138A
CN116937138A权利要求书1/2页
2
1.一种氮化物LED有源微机械雷达锅,包括硅衬底层(1),其特征在于:还包括微腔结构,所述微腔结构的中心由硅衬底层(1)的顶部支撑,其余部分处于悬空状态;
所述雷达锅在转变探测方向时,所述微腔结构能够产生自发辐射的荧光,照向所述雷达锅的探测方向。
2.根据权利要求1所述的氮化物LED有源微机械雷达锅,其特征在于:所述微腔结构包括氮化铝层(2),所述氮化铝层(2)上设有N型电极区域和P型电极区域;
在加上正向电压后,从P型电极区域注入到N型电极区域的空穴与N型电极区域的电子复合、由N型电极区域注入到P型电极区域的电子与P型电极区域的空穴复合,从而产生自发辐射的荧光。
3.根据权利要求2所述的氮化物LED有源微机械雷达锅,其特征在于:所述N型电极区域包括N型氮化物层(3)和分布于N型氮化物层(3)上的N型电极(7);所述P型电极区域包括P型氮化物层(5)和分布于P型氮化物层(5)上的P型电极(6);所述N型氮化物层(3)延伸至所述P型氮化物层(5)的底部,与P型氮化物层(5)之间设有量子阱层(4),所述量子阱层(4)用于电泵浦发光。
4.根据权利要求3所述的氮化物LED有源微机械雷达锅,其特征在于:所述P型氮化物层
(5)和所述P型电极(6)呈圆环形,所述N型电极(7)分布于所述圆环形围成的区间内。
5.根据权利要求1所述的氮化物LED有源微机械雷达锅,其特征在于:所述硅衬底层(1)为硅基材料。
6.根据权利要求3所述的氮化物LED有源微机械雷达锅,其特征在于:所述P型氮化物层
(5)和所述N型氮化物层(3)中的氮化物为氮化镓。
7.权利要求1至6任一项所述氮化物LED有源微机械雷达锅的制作方法,其特征在于,包括:
在氮化物外延片的上表面旋涂光刻胶,得到光刻胶层,通过光学光刻技术在旋涂的光刻胶层上定义所述的微腔结构,采用电子束蒸镀工艺在复合圆盘微腔结构上蒸镀金属镍;
通过ICP刻蚀技术向下刻蚀氮化物层,直至N型氮化物层(3)的中部,从而将上述定义出的微腔图形结构向下转移至外延片的P型氮化物层(5)、量子阱层(4)和N型氮化物层(3)中;
在P型氮化物层(5)的上表面旋涂光刻胶,得到光刻胶层,通过光学光刻技术在旋涂的光刻胶层上定义所述的微腔结构尺寸,采用电子束蒸镀工艺在图形上蒸镀金属镍;
采用ICP刻蚀技术向下刻蚀氮化物层,刻蚀直至硅底衬层的上表面,从而在硅基氮化物外延片的上表面旋涂光刻胶,得到光刻胶层,采用光刻工艺在光刻胶层中心区域和左、右两侧分别定义出n型区透明电极图形和p型区透明电极图形,采用电子束蒸镀技术在p型区透明电极图形上表面蒸镀正电极,在n型区透明电极图形上表面蒸镀负电极;
利用各向同性,采用湿法刻蚀工艺刻蚀硅衬底层(
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