CN116926471A 一种铂薄膜及其制作方法 （中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN116926471A(43)申请公布日2023.10.24

(21)申请号202210350962.4

(22)申请日2022.04.02

(71)申请人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

地址215123江苏省苏州市苏州工业园区

若水路398号

(72)发明人吕伟明范亚明王逸群时文华

曾中明张宝顺

C23C

GO1K

14/02(2006.01)

7/18(2006.01)

(74)专利代理机构深圳市铭粤知识产权代理有

限公司44304专利代理师孙伟峰

(51)Int.CI.

C23C14/18(2006.01)

C23C14/35(2006.01)

C23C14/58(2006.01)

权利要求书1页说明书10页附图3页

(54)发明名称

一种铂薄膜及其制作方法

(57)摘要

CN116926471A提供了一种铂薄膜及其制作方法，所述制作方法包括：利用抛光液对陶瓷衬底进行化学机械抛光处理，以获得具有预定粗糙度的陶瓷衬底；在预定的衬底温度下，利用磁控溅射法在陶瓷衬底上沉积形成铂薄膜；对铂薄膜进行退火处理。本发明通过采用化学机械抛光处理以及多次溅射的方式制备获得了具有厚度薄、方阻低、均一性高、成本低等优点的铂薄膜，实现了在厚度较薄的条件下，铂薄膜的电学性能与厚膜的性能相当，在保证良好性能的同时降低了生产成本。因此，将其应用于电阻温度传感器中，不仅有利于满足电阻温度传感器产品对环境温度的精准测

CN116926471A

利用抛光液对陶瓷衬底进行化学机械抛光处理，以获得具有预定粗糙度的陶瓷衬底

在预定的衬底温度下，利用磁控溅射法在所述陶瓷衬底上沉积形成铂薄膜

对所述铂薄膜进行退火处理

S110

S120

S130

CN116926471A权利要求书1/1页

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1.一种铂薄膜的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

预处理：利用抛光液对陶瓷衬底进行化学机械抛光处理，以获得具有预定粗糙度的陶瓷衬底；

镀膜：在预定的衬底温度下，利用磁控溅射法在所述陶瓷衬底上沉积形成铂薄膜；

热处理：对所述铂薄膜进行退火处理。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述预处理的方法具体包括：

将陶瓷衬底置于研磨机中，使用抛光液对所述陶瓷衬底进行研磨；

对所述陶瓷衬底依次用丙酮溶液和异丙醇溶液进行超声清洗；

利用去离子水重复清洗所述陶瓷衬底，并进行吹干，以获得具有预定粗糙度的陶瓷衬底。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述抛光液为金刚石抛光液，所述金刚石抛光液中金刚石颗粒的大小为2μm～4μm;所述研磨的时间为6h。

4.根据权利要求2或3所述的制作方法，其特征在于，所述陶瓷衬底为氧化铝陶瓷衬底，所述陶瓷衬底的粗糙度为4nm～5nm。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述镀膜步骤中，所述衬底温度为280℃~320℃,所述磁控溅射的真空度为3.0×10??Pa～9.0×10??Pa,所述磁控溅射的直流功率为260W～340W。

6.根据权利要求1或5所述的制作方法，其特征在于，所述利用磁控溅射法在所述陶瓷衬底上沉积形成铂薄膜的具体过程包括：

以金属铂为靶材，持续通入预定气体流量的工作气体；

在所述工作气体气氛下，在所述陶瓷衬底上依次进行第一次预溅射和第一次溅射后进行冷却；

在所述工作气体气氛下，在所述陶瓷衬底上依次进行第二次预溅射和第二次溅射后进行冷却；

在所述工作气体气氛下，在所述陶瓷衬底上依次进行第三次预溅射和第三次溅射。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述工作气体为氩气，所述工作气体的气体流量为136sccm;所述第一次溅射、第二次溅射和第三次溅射的时间和为224s~

245s。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述热处理步骤中，所述退火处理的温度为450℃~550℃,所述退火处理的时间为1.5h～2.5h,所述退火处理的气氛为氮气。

9.一种铂薄膜，其特征在于，所述铂薄膜由权利要求1至8任一项所述的制作方法制作形成。

10.根据权利要求9所述的铂薄膜，其特征在于，所述铂薄膜的厚度为60nm～120nm,所述铂薄膜的方阻为1.1Ω~1.6Ω/□,所述铂薄膜的均一性1.5%。

CN116926471A