CN117096729A 一种宽调谐范围窄线宽激光器及其制作方法 （泉州市三安光通讯科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117096729A(43)申请公布日2023.11.21

(21)申请号202311209826.4

(22)申请日2023.09.19

(71)申请人泉州市三安光通讯科技有限公司地址362300福建省泉州市南安市石井镇

古山村莲山工业区2号

(72)发明人孙维忠林顺利丁振文

(74)专利代理机构北京超凡宏宇知识产权代理有限公司11463

专利代理师杜杨

(51)Int.CI.

H01S5/10(2021.01)

H01S5/042(2006.01)

H01S5/30(2006.01)

权利要求书2页说明书8页附图3页

(54)发明名称

一种宽调谐范围窄线宽激光器及其制作方

法

(57)摘要

CN117066729A本申请提供一种宽调谐范围窄线宽激光器及其制作方法，包括芯片层和无源波导器件，芯片层在长度方向上划分为有源增益区和无源波导区，无源波导器件形成于无源波导区。芯片层由下至上依次包括基底、形成于基底且包括脊波导的氮化硅层、位于有源增益区且与氮化硅层上的脊波导键合的III-V族外延层。无源波导器件包括基于氮化硅层形成的、级联的第一微环谐振腔和第二微环谐振腔，第一微环谐振腔和第二微环谐振腔上沉积形成有加热金属电极。该激光器中，由于III-V族外延层横向对称性，保障了形成的激光器的稳定、高精度的耦合，采用双微环谐振腔，线宽可压缩至百赫兹以下，基于加热金属

CN117066729A

CN117096729A权利要求书1/2页

2

1.一种宽调谐范围窄线宽激光器，其特征在于，包括芯片层和无源波导器件，所述芯片层在长度方向上划分为有源增益区和无源波导区，所述无源波导器件形成于所述芯片层的无源波导区；

所述芯片层由下至上依次包括基底、形成于所述基底且包括脊波导的氮化硅层、位于所述有源增益区且与所述氮化硅层上的脊波导键合的III-V族外延层；

所述无源波导器件包括基于所述氮化硅层制作形成的、级联的第一微环谐振腔和第二微环谐振腔，所述第一微环谐振腔和所述第二微环谐振腔上沉积形成有加热金属电极。

2.根据权利要求1所述的宽调谐范围窄线宽激光器，其特征在于，所述氮化硅层上还形成有位于所述无源波导区的第一直波导和第二直波导，所述脊波导、第一直波导和第二直波导在宽度方向上间隔设置；

所述脊波导贯穿所述有源增益区和无源波导区，且与所述第一微环谐振腔级联；

所述第一直波导分别与所述第一微环谐振腔和第二微环谐振腔级联；

所述第二直波导与所述第二微环谐振腔级联。

3.根据权利要求2所述的宽调谐范围窄线宽激光器，其特征在于，所述第二直波导的远离所述有源增益区的一端通过耦合器连接有反射镜，以用于所述激光器的后端反射。

4.根据权利要求1所述的宽调谐范围窄线宽激光器，其特征在于，所述III-V族外延层在宽度方向上呈台阶结构；

所述台阶结构在长度方向上从所述有源增益区向所述无源波导区的方向宽度逐渐减小以形成楔形结构。

5.根据权利要求4所述的宽调谐范围窄线宽激光器，其特征在于，所述楔形结构在长度方向的长度为10um至500um。

6.根据权利要求4所述的宽调谐范围窄线宽激光器，其特征在于，所述激光器还包括形成于所述III-V族外延层的台阶结构表面的P电极，以及分别位于所述P电极两侧的N电极。

7.根据权利要求1所述的宽调谐范围窄线宽激光器，其特征在于，所述有源增益区的端面形成有增透膜，以作为所述激光器的出光端。

8.根据权利要求1所述的宽调谐范围窄线宽激光器，其特征在于，所述第一微环谐振腔的半径与所述第二微环谐振腔的半径之间的差值小于设定差值。

9.根据权利要求1所述的宽调谐范围窄线宽激光器，其特征在于，所述脊波导的宽度为10um至500um,所述脊波导的深度为0.2um至2um;

在宽度方向上所述脊波导两侧的沟槽的宽度1um至10um。

10.一种宽调谐范围窄线宽激光器制作方法，其特征在于，所述方法包括：

在基底上沉积形成氮化硅层；

对所述氮化硅层进行刻蚀形成脊波导，其中，所述氮化硅层在长度方向上划分为有源增益区和无源波导区；

于所述无源波导区在所述氮化硅层上制作形成级联的第一微环谐振腔和第二微环谐振腔；

在所述第一微环谐振腔和第二微环谐振腔上沉积加热金属电极；

在提供的III-V族衬底上生长III-V族外延层，所述III-V族