CN116013847A 半导体装置的制作方法 （联华电子股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN116013847A(43)申请公布日2023.04.25

(21)申请号202111230639.5

(22)申请日2021.10.22

(71)申请人联华电子股份有限公司地址中国台湾新竹市

(72)发明人江孟庭

(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所

11105

专利代理师陈小雯

(51)Int.CI.

HO1L21/768(2006.01)

HO1L23/48(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图8页

(54)发明名称

CN116013847A

CN116013847A

(57)摘要

本发明公开一种半导体装置的制作方法，包括下列步骤：提供半导体结构，半导体结构包括基底、氮化镓层、多个半导体装置单元以及切割道区，氮化镓层设置在基底的第一表面上，半导体装置单元与切割道区设置在氮化镓层上，切割道区位于多个半导体装置单元之间；在基底的第二表面形成沟槽，沟槽在垂直方向上与切割道区对应形成，且沟槽在垂直方向上贯穿基底的至少一部分；在沟槽形成之后，在基底上形成金属层；在金属层形成之后，对半导体结构进行切割制作工艺，用以使多个半导体装置单元互相分离。

100

4040404040404040

303030

202020

TR10

50P(50)50P(50)50P(50)

CN116013847A权利要求书1/2页

2

1.一种半导体装置的制作方法，包括：

提供半导体结构，该半导体结构包括：

基底，具有第一表面以及在垂直方向上与该第一表面相反的第二表面；

氮化镓层，设置在该基底的该第一表面上；

多个半导体装置单元，设置在该氮化镓层上；以及

切割道区，设置在该氮化镓层上且位于该多个半导体装置单元之间；

在该基底的该第二表面形成沟槽，其中该沟槽在该垂直方向上与该切割道区对应形成，且该沟槽在该垂直方向上贯穿该基底的至少一部分；

在该沟槽形成之后，在该基底上形成金属层；以及

在该金属层形成之后，对该半导体结构进行切割制作工艺，用以使该多个半导体装置单元互相分离。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其中该沟槽在该垂直方向上的深度小于该基底在该垂直方向上的厚度。

3.如权利要求2所述的半导体装置的制作方法，其中该金属层的一部分形成在该沟槽

中。

4.如权利要求3所述的半导体装置的制作方法，其中该金属层的厚度小于该沟槽在该垂直方向上的该深度。

5.如权利要求3所述的半导体装置的制作方法，其中该沟槽没有被该金属层填满。

6.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其中该沟槽在该垂直方向上贯穿该基底与该氮化镓层。

7.如权利要求6所述的半导体装置的制作方法，其中该沟槽在该垂直方向上的深度小于该半导体结构在该垂直方向上的厚度。

8.如权利要求6所述的半导体装置的制作方法，其中该沟槽的一部分位于该切割道区中，且该沟槽在该垂直方向上没有贯穿该切割道区。

9.如权利要求6所述的半导体装置的制作方法，还包括：

在形成该金属层之前，在该沟槽中形成铸模化合物材料。

10.如权利要求9所述的半导体装置的制作方法，其中该沟槽被该铸模化合物材料填满。

11.如权利要求9所述的半导体装置的制作方法，其中该金属层与该铸模化合物材料互相分离。

12.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其中该沟槽是通过激光处理形成。

13.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其中该切割制作工艺是在该沟槽的位置进行。

14.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其中该切割制作工艺包括切割刀切割方法或激光切割方法。

15.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，还包括：

在形成该沟槽之前，对该基底进行薄化制作工艺，用以减少该基底的厚度。

16.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，还包括：

在形成