CN114420872A 一种显示基板、显示装置以及显示基板的制作方法 （京东方科技集团股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114420872A

(43)申请公布日2022.04.29

(21)申请号202210072827.8

(22)申请日2022.01.21

(71)申请人京东方科技集团股份有限公司

地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号申请人成都京东方光电科技有限公司

(72)发明人祁一歌曾平川张如芹杨泽

(74)专利代理机构北京同达信恒知识产权代理有限公司11291

代理人王迪

(51)Int.CI.

HO1LHO1L

HO1L

51/52(2006.01)

51/56(2006.01)27/32(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图6页

(54)发明名称

一种显示基板、显示装置以及显示基板的制

作方法

(57)摘要

CN114420872A本发明涉及显示的领域，公开一种显示基板、显示装置以及显示基板的制作方法，该显示基板包括衬底基板；像素界定层位于衬底基板的一侧，像素界定层具有开口，开口设有发光结构，发光结构的出光方向朝向衬底基板；出光汇聚结构层位于像素界定层和衬底基板之间；第一折射膜层位于衬底基板朝向发光结构的一侧，第一折射膜层具有使衬底基板部分暴露的镂空区域，发光结构在衬底基板上的正投影位于镂空区域内，像素界定层在衬底基板上的正投影覆盖第一折射膜层在衬底基板上的正投影；第二折射膜层覆盖第一折射膜层，且与衬底基板的暴露部分接

CN114420872A

CN114420872A权利要求书1/2页

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1.一种显示基板，其特征在于，包括：

衬底基板；

像素界定层，所述像素界定层位于所述衬底基板的一侧，所述像素界定层具有开口，所述开口设有发光结构，所述发光结构的出光方向朝向所述衬底基板；

出光汇聚结构层，所述出光汇聚结构层位于所述像素界定层和所述衬底基板之间；

其中，所述出光汇聚结构层包括第一折射膜层和第二折射膜层，所述第一折射膜层位于所述衬底基板朝向所述发光结构的一侧，所述第一折射膜层具有使所述衬底基板部分暴露的镂空区域，所述发光结构在所述衬底基板上的正投影位于所述镂空区域内，所述像素界定层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第一折射膜层在所述衬底基板上的正投影；所述第二折射膜层位于所述第一折射膜层背离所述衬底基板的一侧，所述第二折射膜层覆盖所述第一折射膜层，且与所述衬底基板的暴露部分接触；

所述第二折射膜层的折射率大于所述第一折射膜层的折射率。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，沿与所述衬底基板平行的方向，所述第一折射膜层在所述衬底基板的正投影的内边缘与所述像素界定层在所述衬底基板的正投影的外边缘之间存在预设间隙d,d≥5μm。

3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一折射膜层的横截面为倒梯形，所述第一折射膜层的侧面均为倾斜面；

沿所述衬底基板指向所述发光结构的方向，所述第一折射膜层的宽度由小变大。

4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一折射膜层的折射率n1满足：

1.3≤n1≤1.5;

所述第二折射膜层的折射率n2满足：1.7≤n2≤1.9。

5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：依次设置在所述出光汇聚结构层背离所述衬底基板一侧的第一电极层、中间介电层和第二电极层。

6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一折射膜层在垂直于所述衬底基板方向上的厚度为h1;

所述第二折射膜层的在垂直于所述衬底基板方向上的厚度为h2;

其中，2≤h2/h1≤5。

7.根据权利要求1-6任一项所述的显示基板，其特征在于，所述发光结构包括有机发光层、阳极层和阴极层；

所述阳极层位于所述第二折射膜层背离所述衬底基板的一侧，所述阴极层位于所述阳极层背离所述衬底基板的一侧，所述有机发光层位于所述阳极层和所述阴极层之间。

8.根据权利要求1-6任一项所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括缓冲层，所述缓冲层位于所述衬底基板朝向所述发光结构的一侧。

9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的显示基板。

10.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板的一侧形成有像素界定层，所述像素界定层位于所述衬底基板的一侧，所述像素界定层具有开口，所述开口设有发光结构，所述发光结构的出光方向朝向所述衬底基板；

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