CN114300476A 三维存储器及其制作方法 （长江存储科技有限责任公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114300476A

(43)申请公布日2022.04.08

(21)申请号202111679911.8

(22)申请日2021.12.31

(71)申请人长江存储科技有限责任公司

地址430074湖北省武汉市东湖新技术开

发区未来三路88号

(72)发明人张静平

(74)专利代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司11240

代理人王晓玲(51Int.CL.

HO1L27/1157(2017.01)

HO1L27/11582(2017.01)

HO1L29/423(2006.01)

HO1L21/28(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图5页

(54)发明名称

三维存储器及其制作方法

(57)摘要

CN114300476A本申请提供了一种三维存储器及其制作方法。该三维存储器包括：表面具有栅极堆叠结构的衬底，栅极堆叠结构包括沿远离衬底的方向交替层叠的控制栅结构和隔离层；存储结构，贯穿栅极堆叠结构至衬底，其中，控制栅结构包括栅极层、第一阻挡层和第二阻挡层，栅极层位于相邻隔离层之间，第一阻挡层位于栅极层与相邻隔离层之间，第二阻挡层覆盖于栅极层的第一端面，第一端面为栅极层在延伸方向上远离存储结构的一侧端面。上述器件结构能够避免工艺气体对隔离层破坏而导致的隔离层缺陷，进而使相邻

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CN114300476A权利要求书1/2页

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1.一种三维存储器，其特征在于，包括：

表面具有栅极堆叠结构的衬底，所述栅极堆叠结构包括沿远离所述衬底的方向交替层叠的控制栅结构和隔离层；

存储结构，贯穿所述栅极堆叠结构至所述衬底，

其中，所述控制栅结构包括栅极层、第一阻挡层和第二阻挡层，所述栅极层位于相邻所述隔离层之间，所述第一阻挡层位于所述栅极层与相邻所述隔离层之间，所述第二阻挡层覆盖于所述栅极层的第一端面，所述第一端面为所述栅极层在延伸方向上远离所述存储结构的一侧端面。

2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述栅极层具有在延伸方向上远离所述存储结构的第一端部，所述第一端面位于所述第一端部上，所述第二阻挡层包裹所述第一端部。

3.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述三维存储器包括第一高k介质层，所述第一高k介质层中的一部分设置在所述栅极层与所述存储结构之间构成栅介质层，所述第一高k介质层中的另一部分设置在所述栅极层与相邻的所述隔离层之间构成所述第一阻挡层。

4.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述第二阻挡层包括第二高k介质层。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的三维存储器，其特征在于，所述第一阻挡层和所述第二阻挡层的厚度满足为30～50nm。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的三维存储器，其特征在于，所述第一端面与所述存储结构之间的最短距离为H?,所述隔离层在延伸方向上远离所述存储结构的一侧具有第二端面，所述第二端面与所述存储结构之间的最短距离为H?,H?H?。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的三维存储器，其特征在于，所述三维存储器还包括：

栅间隙，贯穿所述堆叠结构至所述衬底，所述存储结构位于相邻所述栅间隙之间；

共源极，设置于所述栅间隙中。

8.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供表面具有堆叠体的衬底，所述堆叠体包括沿远离所述衬底的方向交替层叠的牺牲层和隔离层，在所述堆叠体中形成贯穿至所述衬底的存储结构；

去除所述牺牲层，以在对应所述牺牲层的位置形成多个第一通道，各所述第一通道与所述存储结构连通；

在所述第一通道中形成栅极层、第一阻挡层和第二阻挡层，以形成栅极堆叠结构，其中，所述第一阻挡层位于所述栅极层与相邻所述隔离层之间，所述第二阻挡层覆盖于所述栅极层的第一端面，所述第一端面为所述栅极层在延伸方向上远离所述存储结构的一侧端面。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，去除所述牺牲层的步骤包括：

在堆叠体中形成贯穿至衬底的栅间隙，以使所述牺牲层具有位于所述栅间隙中的裸露端面；

沿所述裸露端面刻蚀去除所述牺牲层，以形成所述第一通道。

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