CN113451121A FinFET器件的鳍片制作方法 （广东汉岂工业技术研发有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN113451121A

(43)申请公布日2021.09.28

(21)申请号202010211746.2

(22)申请日2020.03.24

(71)申请人广东汉岂工业技术研发有限公司地址528300广东省佛山市顺德区大良街

道办事处德和居民委员会国泰南路3

号保利商贸中心1栋37层3701、38层办

公室

(72)发明人戴成奇

(74)专利代理机构深圳市顺天达专利商标代理有限公司44217

代理人郭伟刚

(51)Int.CI.

HO1L21/306(2006.01)

HO1L21/3065(2006.01)

HO1L21/336(2006.01)

权利要求书1页说明书3页附图6页

(54)发明名称

FinFET器件的鳍片制作方法

(57)摘要

CN113451121A一种FinFET器件的鳍片制作方法，包括以下步骤：步骤S1、在半导体衬底(100)上蚀刻出蚀刻槽(110),以使邻近两个蚀刻槽(110)之间形成鳍片(200);步骤S2、在蚀刻槽(110)中施布ODL(300),以使ODL(300)达到鳍片(200)的一定高度；步骤S3、采用氟基团对鳍片(200)的位于ODL(300)上方的部分进行干法腐蚀，以将鳍片(200)蚀刻成塔状。本发明的FinFET器件的鳍片

CN113451121A

CN113451121A权利要求书1/1页

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1.一种FinFET器件的鳍片制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1、在半导体衬底(100)上蚀刻出蚀刻槽(110),以使邻近两个蚀刻槽(110)之间形成鳍片(200);

步骤S2、在蚀刻槽(110)中施布ODL(300),以使ODL(300)达到鳍片(200)的一定高度；

步骤S3、采用氟基团对鳍片(200)的位于ODL(300)上方的部分进行干法腐蚀，以将鳍片(200)蚀刻成塔状。

2.根据权利要求1所述的鳍片制作方法，其特征在于，在步骤S3中，采用氟基团或氯基团对鳍片(200)的位于ODL(300)上方的部分进行干法腐蚀。

3.根据权利要求2所述的鳍片制作方法，其特征在于，在步骤S3中，采用CF?对鳍片(200)的位于ODL(300)上方的部分进行干法腐蚀。

4.一种FinFET器件的鳍片制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1、在半导体衬底(100)上蚀刻出蚀刻槽(110),以使邻近两个蚀刻槽(110)之间形成鳍片(200);

步骤S2、在蚀刻槽(110)中施布ODL(300),以使ODL(300)达到鳍片(200)的一定高度；

步骤S3、对鳍片(200)的位于ODL(300)上方的部分进行氧气处理并进行湿法腐蚀，以将鳍片(200)蚀刻成塔状。

5.根据权利要求1-4中任意一项所述的鳍片制作方法，其特征在于，在步骤S3之后，本实施例的FinFET器件的鳍片制作方法还包括：去除ODL(300)。

6.一种FinFET器件的鳍片制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1、在半导体衬底(100)上蚀刻出蚀刻槽(110),以使邻近两个蚀刻槽(110)之间形成鳍片(200);

步骤S2、采用氧气原位钝化鳍片(200)的外壁；

步骤S3、采用SiO?/Si腐蚀选择比处于30～100之间的腐蚀气体对蚀刻槽(110)的槽底进行干法腐蚀，以将鳍片(200)蚀刻成塔状。

7.根据权利要求6所述的鳍片制作方法，其特征在于，腐蚀气体选择He、O?和HBr三者的混和气。

CN113451121A说明书1/3页

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FinFET器件的鳍片制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种FinFET器件的鳍片制作方法。

背景技术

[0002]鳍片刻蚀是FinFET制造过程中的一个常规步骤。鳍片轮廓是蚀刻后形成的，具体通过采用包括芯材蚀刻、间隔蚀刻和芯材去除技术的自对准双模(SADP)工艺形成，如图1所示。在现有技术中，鳍片的形状和宽度难以调整，鳍片的底座不够宽，经过FCVD后的收缩加工，鳍片容易在鳍片切割区域附近