CN113871480A 常关型沟道调制器件及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN113871480A布日2021.12.31

(21)申请号202111152886.8

(22)申请日2021.09.29

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人毛维裴晨杨翠杜鸣马佩军张鹏张进成

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华

(51)Int.CI.

HO1L29/778(2006.01)

HO1L29/417(2006.01)

HO1L21/335(2006.01)

权利要求书2页说明书10页附图5页

(54)发明名称

常关型沟道调制器件及其制作方法

(57)摘要

CN113871480A本发明公开了一种常关型沟道调制器件及其制作方法，主要解决现有氮化镓基功率开关器件存在的电流崩塌问题，其自下而上包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3),势垒层(3)上从左到右依次设有源极(6)、P-GaN栅(4)、复合电极(5)、漏极(7),P-GaN栅(4)上部淀积有栅金属(8);复合电极(5)由下部调制块(51)与上部调制金属(52)构成，该调制块(51)的厚度小于P-GaN栅(4)的厚度，以保证在平衡状态时对其下部的势垒层与过渡层之间所形成沟道中的二维电子气几乎无耗尽；该调制金属(52)与漏极(7)电气连接。本

CN113871480A

栅金属8

栅金属8调制金属52

调制块51

P-GaN栅4

势垒层3

过渡层2

衬底1

复合电极5

源极6

漏极7

CN113871480A权利要求书1/2页

2

1.一种常关型沟道调制器件，自下而上包括：衬底(1)、过渡层(2)和势垒层(3),势垒层(3)上部设有P-GaN栅(4),P-GaN栅(4)上部淀积有栅金属(8),势垒层(3)的上部左、右侧边缘分别设有源极(6)和漏极(7),其特征在于：

所述P-GaN栅(4)与漏极(7)之间的势垒层(3)上设有复合电极(5),该复合电极(5)由下部的调制块(51)与上部的调制金属(52)构成；

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，衬底(1)可选择采用蓝宝石或碳化硅或硅或石墨烯或其他材料。

3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述调制块(51)的厚度小于P-GaN栅(4)的厚度，且要保证在平衡状态时对其下部的势垒层(3)与过渡层(2)之间所形成沟道中的二维电子气几乎无耗尽作用。

4.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述调制块(51)的右端与漏极(7)的左端之间的水平距离d≥0μm。

5.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述调制金属(52)与漏极(7)电气连接。

6.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述漏极(7)的最底层金属选用与势垒层

(3)功函数接近的金属，以确保漏极(7)与势垒层(3)之间形成良好的欧姆接触。

7.一种制作权利要求1常关型沟道调制器件的方法，其特征在于，包括如下：

A)在衬底(1)上外延GaN基宽禁带半导体材料，形成过渡层(2);

B)在过渡层(2)上外延GaN基宽禁带半导体材料，形成厚度为a的势垒层(3);

C)在势垒层(3)上外延P型GaN半导体材料，形成厚度为b、掺杂浓度为5×101?~1×1022cm?3的P型GaN层；

D)在P型GaN层上第一次制作掩膜，利用该掩膜对P型GaN层进行刻蚀，刻蚀至势垒层(3)上表面为止，形成一个左侧的P-GaN栅(4)和一个右侧的P-GaN块，且P-GaN栅(4)与P-GaN块的厚度相同均为b;

E)在势垒层(3)、P-GaN栅(4)和P-GaN块上第二次制作掩膜，利用该掩膜对P-GaN块进行刻蚀，刻蚀深度f小于P-GaN栅(4)的厚度，形成厚度为c的调制块(51),即f+c=b,且选择调制块(51)的厚度c时，应保证在平衡状态时调制块(51)对其下部的势垒层(3)与过渡层(2)之间所形成沟道中的二维电子气几乎无耗尽作用；

F)在势垒层(3)、P-GaN栅(4)、调制块(51)上第三次制作掩模，利用该掩膜在左右两侧的势垒层(3)上部淀积金属，并进行快速热退火，完成源极(6