CN1639879A 光伏打电池及其制作方法 （瑞威欧公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请6

[51]Int.Cl?

H01L31/042

H01L31/05H01L31/06H01L31/18

[43]公开日2005年7月13日[11]公开号CN1639879A

[22]申请日2003.1.2[21]申请6

[30]优先权

[32]2002.1.2[33]US[31]60/346,128

[86]国际申请PCT/US2003/0000642003.1.2

[87]国际公布WO2003/058725英2003.7.17

[85]进入国家阶段日期2004.9.2

[71]申请人瑞威欧公司地址美国纽约

[72]发明人萨迪克·M·法里斯

[74]专利代理机构永新专利商标代理有限公司代理人王英

权利要求书3页说明书21页附图14页

[54]发明名称光伏打电池及其制作方法

[57]摘要

由多层衬底制造的一种光伏打电池。多层衬底通常包括第一层，其适合在其中或其上形成光伏打电池，其中该第一层选择性附着或接合至第二层。一种形成一个光伏打电池或多个光伏打电池的方法，通常包含选择性粘着第一层至第二衬底。

4724-8001NSSI

知识产权出版社出版6权利要求书第1/3页

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1、一种光伏打电池结构，包含：

一pn结，形成于太阳能电池材料层的一个或多个区上，其中该太阳能电池材料层从支撑层去除。

2、根据权利要求1的光伏打电池，其中该太阳能电池材料层和所述支撑层基本上是相同材料。

3、根据权利要求1的光伏打电池，其中该太阳能电池材料层在所述pn结形成前接合至该支撑层。

4、根据权利要求1的光伏打电池，其中该太阳能电池材料层在所述pn结形成前选择性地接合至该支撑层。

5、一种光伏打电池组，包含根据权利要求1的第一光伏打电池，以及根据权利要求1的第二光伏打电池，每个光伏打电池包括一太阳能捕捉面、背面、第一远侧以及第二远侧，其中所述第一光伏打电池的太阳能捕捉面的第一远侧接合至所述第二光伏打电池背面的第二远侧。

6、根据权利要求5的光伏打电池组，进一步包含第三光伏打电池，其中所述第二光伏打电池的太阳能捕捉面的第一远侧接合至该第三光伏打电池背面的第二远侧。

7、一种制造光伏打电池的方法，包括：

在选择的位置接合光伏打电池层至一衬底层，以界定一个或多个弱接合区以及一个或多个强接合区；

在所述一个或多个弱接合区处理一或多个光伏打电池。6权利要求书第2/3页

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8、根据权利要求7的方法，进一步包括通过将所述一个或多个强接合区解除接合而去除所述一个或多个光伏打电池。

9、根据权利要求8的方法，进一步包括去除所述衬底层的一层，以及在选择的位置将该被去除的衬底层接合至所述衬底剩余的层，以界定一个或多个弱接合区以及一个或多个强接合区，从而重复利用所述衬底层。

10、一种制造光伏打电池的方法，包括：

提供一种多层衬底，所述多层衬底具有一个器件层以及一个衬底层，该器件层选择性接合至该衬底层，以界定一个或多个弱接合区以及一个或多个强接合区；

在所述器件层的一个或多个弱接合区处理一个或多个光伏打电池；

通过将强接合区解除接合而从所述衬底层去除所述器件层，随后允许去除所述器件层，而对所述器件层中经过处理的光伏打电池的损伤最小化或者没有损伤。

11、根据权利要求7或10的方法，其中所述光伏打电池包括一种选自pn结、背面场、紫光型、制作结构、V形沟槽多结、有机型、基于光合成的能量转换以及包括前述至少一种的组合组成的组的电池。

12、一种制造光伏打电池的方法，包括：

提供具有第一器件层以及第一衬底层的第一多层衬底，该第一器件层选择性地接合至该第一衬底层以界定一个或多个弱接合区以及一个或多个强接合区；

在所述第一器件层中的一个或多个弱接合区处理第一光伏打电池；6