CN1837997A 蚀刻作业管理系统及方法及使用此方法所制作的电子装置 （台湾积体电路制造股份有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号200610056843.9

[51]Int.Cl.

G05B19/02(2006.01)HO1L21/67(2006.01)

[43]公开日2006年9月27日[11]公开号CN1837997A

[22]申请日2006.3.7

[21]申请号200610056843.9

[30]优先权

[32]2005.3.7[33]US[31]11/073,979

[71]申请人台湾积体电路制造股份有限公司

地址台湾省新竹科学工业园区新竹市力行

六路八号

[72]发明人徐彦溥魏诚贤

[74]专利代理机构北京林达刘知识产权代理事务所代理人刘新宇

权利要求书4页说明书12页附图7页

[54]发明名称

蚀刻作业管理系统及方法及使用此方法所制作的电子装置

[57]摘要

遗过重测林台取将巴处理晶图的线*起已是品画的关做尺十斑

遗过重测林台取将巴处理晶图的线

*起已是品画的关做尺十斑

8623

慷蚀刻方程式决定相应子关镜尺十误盖的理想性蚓排续时间

决定调整后的目标线宽二

决定调整后关键尺寸误差二

接收曲蚀刻机台所发出用以指出与已处理品圆拥有相同半导体产品的品围将特退整相网反应宣的事件

驱动蚀刻机台于准备好的晶圆上执行调整后蚀期排续时间的蚀刻作业

200610056843.9权利要求书第1/4页

2

1.一种蚀刻作业管理系统，其特征在于，该蚀刻作业管理系统包括：

一量测机台；

一蚀刻机台；以及

一制程控制器连结于上述蚀刻机台与上述量测机台，透过上述量测机台的量测以取得一已处理晶圆的一线宽，从一目标线宽减掉上述量测的线宽以取得一第一关键尺寸误差，决定一第一蚀刻持续时间，决定一第二蚀刻持续时间，根据上述第一与第二蚀刻持续时间决定一调整后的目标线宽，决定相应于上述调整后目标线宽的一第二关键尺寸误差，决定相应于上述第二关键尺寸误差的一第三蚀刻持续时间，以及驱动上述蚀刻机台于另一晶圆上执行一蚀刻作业并且历经上述第三蚀刻持续时间。

2.根据权利要求1所述的蚀刻作业管理系统，其特征在于，上述制程控制器透过至少一映射法则决定上述第一蚀刻持续时间与上述第三蚀刻持续时间，上述映射法则使用既定的时间增量来决定相应于上述第一关键尺寸误差的上述第一蚀刻持续时间，与相应于上述第二关键尺寸误差的上述第三蚀刻持续时间。

3.根据权利要求1所述的蚀刻作业管理系统，其特征在于，上述调整后的目标线宽由一方程式计算：

Wat=Wt-R×(Ti-T。),

其中Wat代表上述调整后的目标线宽、Wt代表上述目标线宽、R代表一蚀刻率、Ti代表上述第二蚀刻持续时间、T。代表上述第一蚀刻持续时间。

4.根据权利要求3所述的蚀刻作业管理系统，其特征在于，上述蚀刻率代表每一纳米的关键尺寸误差所相应的蚀刻持续时间的改变率。

5.根据权利要求3所述的蚀刻作业管理系统，其特征在于，

200610056843.9权利要求书第2/4页

3

上述第二关键尺寸误差由一方程式计算：

CDb=Wp+Wc+Wm-Wat,

其中CDb代表上述第二关键尺寸误差、Wp代表上述已处理晶圆的相应半导体产品的补偿线宽、Wc代表制作上述已处理晶圆的相应反应室的补偿线宽、Wm代表上述量测的线宽、以及Wat代表上述调整后的目标线宽。

6.一种蚀刻作业管理方法，其特征在于，该蚀刻作业管理方法包括下列步骤：

取得一已处理晶圆的一线宽；

从一目标线宽减掉上述量测的线宽以取得一第一关键尺寸误差；

根据至少一个映射法则决定一相应于上述第一关键尺寸误差的第一蚀刻持续时间；

根据一蚀刻方程式决定一相应于上述第一关键尺寸误差的第二蚀刻持续时间；

根据上述第一与第二蚀刻持续时间决定一调整后的目标线宽；

决定相应于上述调整后目标线宽的一第二关键尺寸误差；以及

根据上述映射法则决定相应于上述第二关键尺寸误差的一第三蚀刻持续时间。

7.根据权利要求6所述的蚀刻作业管理方法，其特征在于，更包括一步骤为于另一个晶圆上执行一蚀刻作业并且历经上述第三