CN100560782C 一种有机电致发光器件的新型掩膜体系及制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利说明专利号ZL200810045233.8

[45]授权公告日2009年11月18日

[51]Int.Cl.

C23C14/04(2006.01)

HO1L51/56(2006.01)

书

[11]授权公告号CN100560782C

[22]申请日2008.1.22

[21]申请号200810045233.8

[73]专利权人电子科技大学

地址610054四川省成都市建设北路二段

四号

共同专利权人京东方科技集团股份有限公司

[72]发明人于军胜张磊孙力王玉林钟建蒋泉蒋亚东

[56]参考文献

权利要求书2页说明书7页附图1页

CN1471341A

CN1607868A

CN1480011A

US5701055A

审查员杨

2004.1.28

2005.4.20

2004.3.3

1997.12.23珂

[54]发明名称

一种有机电致发光器件的新型掩膜体系及制作方法

[57]摘要

本发明公开了一种有机电致发光器件的掩膜体系，其特征在于，包括活动部分和固定部分，所述固定部分为单片小掩膜板，固定设置在基片托架上方和器件衬底下方，它与器件衬底在有机工作层的制备过程中始终固定在基片托架上，掩膜图案与金属电极的待蒸镀区域图形一致；所述活动部分为在蒸镀有机薄膜的过程中导入的大掩膜板，所述大掩膜板与所述小掩膜板的公共暴露部分对应于有机层的蒸镀区域。该体系简化了有机电致发光器件的制备工艺，通过尽量少的不同的掩膜组合实现器件制备图案的多样性，解决了多次掩膜板切换所引起的有机层发光区域和电极区的对位和对准性问题，降低了器件制作的成本，提高了器件良品率和生产效率。

200810045233.8权利要求书第1/2页

2

1、一种有机电致发光器件的掩膜体系，其特征在于，包括活动部分和固定部分，所述固定部分为单片小掩膜板，固定设置在基片托架上方和器件衬底下方，它与器件衬底在有机功能层的制备过程中始终固定在基片托架上，掩膜图案与金属电极的待蒸镀区域图形一致；所述活动部分为在蒸镀有机薄膜的过程中导入的大掩膜板，所述大掩膜板与所述小掩膜板的公共暴露部分对应于有机层的蒸镀区域。

2、一种采用如权利要求1所述的掩膜体系制备有机电致发光器件的制作方法，所述有机电致发光器件包括衬底、有机功能层和金属电极，其中有机功能层包括阳极层、空穴传输层、发光层和电子传输层，发光层在外加电场的驱动下发光，其特征在于，包括以下步骤：

①、先进行衬底的清洗，清洗后干燥处理；

②、将衬底传送至真空蒸发室中进行电极的制备或前期处理，所述电极包括阳极层或者阴极层；

③、将制备好电极的衬底移入真空室，进行预处理；

④、取出基片托架，将单片小掩膜板固定在基片托架上衬底的下方，其掩膜图案与金属电极的待蒸镀区域图形一致；

⑤、将基片送入高真空度的蒸镀室中，将活动的大掩膜板通过机械手导入到基片托架正下方，然后蒸镀有机功能层；

⑥、有机功能层蒸镀结束后在高真空度的另一蒸发室中进行金属阴极的制备，该过程无需再导入大掩膜板，用单片小掩膜板即可实现电极蒸镀的掩膜方案；

⑦、将做好的器件传送到手套箱进行封装，手套箱为惰性气体氛围；

⑧、测试器件的光电特性。

3、根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述有机电致发光器件中包括载流子注入层和缓冲层。

4、根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述衬底是玻璃或柔性基片或金属薄片；所述阳极层是金属氧化物薄膜或金属薄膜，或PEDOT:PSS或PANI类有机导电聚合物；所述阴极层包括缓冲层和金属层；所述缓冲层是无机小分子化合物或者具有高的最低未被占据分子轨道的有机化合物，所述金属层材料是金属薄膜或合金薄膜。

3

200810045233.8权利要求书第2/2页

5、根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述载流子注入层是无机小分子化合

物或者具有低的最高被占据分子轨道的有机化合物。

200810045233.8说明书第1/7页

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一种有机电致发光器件的新型掩膜体系及制