通信-光芯片产业梳理.pptxVIP

投资要点

o高端有源芯片IDM模式构成重要价值壁垒

高速EML、CW光源等有源芯片需在InP衬底上完成纳米级外延与光栅刻蚀，工艺高度耦合且迭代周期短，IDM模式能够整合设计、制造、封测全链条，有助

于保障良率与响应速度。全球高端产能集中于海外，国内掌握IDM全流程的领先企业，在800G/1.6T需求扩张阶段具备较强利润弹性。

oInP衬底与外延的国产替代正填补供应链短板

InP衬底是高速有源芯片的关键基底，全球产能集中于少数海外厂商且供需缺口较大，已成为产业扩张的突出瓶颈。国内云南锗业、北京通美已实现6英寸量产，九峰山实验室依托国产MOCVD取得