半导体器件物理 课件 第5章 小尺寸MOSFET的非理想效应.pptx

半导体器件物理;;5.1影响阈值电压的非理想效应;5.1影响阈值电压的非理想效应;;;可求出：;在沟道宽度方向，在薄栅氧化层和厚场氧化层之间存在一圆锥形的氧化层过渡区，当施加栅电压时，在此过渡区也会形成栅控耗尽区，引起附加耗尽区电荷?Qw，当W与xm相近时，?Qw将使阈值电压增加：?Vth(w)?=??Qw/Cox，这一现象称为窄沟道效应。;在全凹陷或沟槽隔离的器件中，由于场氧化物等隔离层被埋入衬底，得到了较平坦的氧化层表面，不存在过渡区，这种器件的Vth随W减小而降低，称这种现象为反窄沟道效应。;当VDS较高时，沿L方向的xm不再是常数，从源到漏逐渐变化:;DI