处理温度及CdS量子点对Eu^3＋掺杂SiO2干凝胶光致发光性质的影响.pdfVIP

第 32卷 第 8期 发 光 学 报 V01．32 No．8 2011年 8月 CHINESE JOURNALOF LUMINESCENCE Aug．，2011 文章编号 ：1000-7032(2011)08)784—05 处理温度及 CdS量子点对 Eu3十掺杂 SiO2干凝胶 光玫发光性质的影响 徐磊华 r，强颖怀 ，江 利 ，顾永琴 (1．中国矿业大学 材料科学与工程学院，江苏 徐州 221116； 2．中国矿业大学 化工学 院，江苏 徐州 221116) 摘要：以正硅酸乙酯为原料，采用溶胶一凝胶法制备了Eu 掺杂的SiO：凝胶和Eu+／CdS量子点共掺杂的 SiO干凝胶。考察了不同温度下处理2h对 Eu”掺杂SiO凝胶发光性质的影响。在40℃干燥的样品荧光光 谱中，没有出现614Ilm发射峰，455HIll处的峰也很弱；随着干燥处理温度的升高，455nm和614nm处的发 射逐渐增强；当温度高于400℃后，强度又都随之下降。同时 ，还考察 了200℃条件下处理 2h的EuVCdS 量子点共掺杂的SiO干凝胶的发光性质及 CdS量子点对 Eu。荧光的影响。 关 键 词 ：光致发光；CdS量子点；Eu ；共掺杂；SiO干凝胶 中图分类号：0482．31 PACS：78．55．一m PACC：7855 文献标识码 ：A DOI：10．3788／fgx0784 光强度 。这些研究大都集中在稀土离子对半导 1 引 言 体光电及催化性能的影响上，而对于半导体量子点 稀土元素具有外层价 电子构型相 同、内层 4f 对稀土离子发光性能影响的研究并不多。 电子能级的电子结构特征，使稀土化合物表现出 本文用溶胶一凝胶法制备了Eu”掺杂 SiO凝 许多独特的光电性质 J。对 固体基质中稀土粒 胶 ，并且 以硝酸 镉 (cd(NO ))和硫脲 (SC- 离子的电子结构或者是对激发一发射机理的认识， (NH，)，)为原料原位生成 CdS量子点，制备了 将促进稀土掺杂凝胶玻璃在光 电器件方面的应 Eu~CdS共掺杂的SiO，凝胶。同时本文还考察了 用。Ⅱ．Ⅵ族化合物半导体，具有良好的晶体结构和 热处理温度对 Eu“掺杂 SiO，凝胶荧光性质的影 光学特性 ，其光 电性能受粒子尺寸的强烈影响，在 响，以及经过 200℃退火处理 的Eu“和CdS共掺 纳米尺度 内具有不同于体材料的奇特光 电性 杂SiO，干凝胶中两种组分发光性质的相互影响。 质_34。。国内外许多学者对稀土离子和半导体纳米 2 实 验 粒子掺杂的SiO，干凝胶光电性质做了大量的研究 工作 。。，其中包括探索和研究二者之间的相互作 2．1 试剂 用 ¨”。黄亚辉等u 用溶胶一凝胶法制备 了CdS／ 实验所用 TEOS无水 乙醇、硝酸、硝酸镉 、硫 Eu¨共掺杂TiO ，Eu 的加人提高了光生电子和 脲均为分析纯。EuO纯度为99．95％，用适量硝 空穴 的分离，从而提高 了复合催化剂 的活性。 酸溶解，制得浓度一定的 Eu(NO，)溶液。实验 s．A．Tomas等 的研究结果表明：稀土掺杂会对 用水为二次重蒸去离子水。 ． 半导体的禁带宽度产生影响。Hayakawa采用吸附 2．2 实验步骤 法把 CdS纳米粒子吸附到 Eu“掺杂的 SiO凝胶 2．2．1 Eu”掺杂 SiO，