FAIMS迁移管中离子运动分析及迁移管结构的初步设计.pdfVIP

第 11卷 第 19期 2011年7月 科 学 技 术 与 工 程 Vo1．11 No．19 July2011 1671— 1815(2011)19—4453．04 ScienceTechnologyandEngineering ⑥ 201I Sei．Tech．Engng． FAIMS迁移管中离子运动分析及 迁移管结构的初步设计 吴福民 钟其水 杨 敏 何 柳 (电子科技大学空天科学技术研究院 ，成都611731；成都安可信Eg-~$t份有限公司 ，成都610211) 摘 要 根据牛顿第二定律，分析 了离子在高场不对称波形离子迁移谱 (High．FieldAsymmetricWaveformIonMobilitySpec— trometry，FAIMS)迁移管中的受力及运动情况。当作用的电场大小和 占空比一定时，离子在迁移管中的运动仅仅与其本身 的 性质有关，而当FAIMS迁移管周围存在磁场干扰时，离子处于电场和磁场的复合作用下而作余摆线运动。电场的作用使离子 定向漂移，而磁场的干扰使离子的运动变得复杂，从而大大降低 了FAIMS的可靠性和稳定性。为了降低磁场对迁移管中离子 运动的干扰，提出了具有屏蔽电磁干扰的FAIMS迁移管结构。 关键词 离子运动 FAIMS 电磁干扰 中图法分类号 TN131； 文献标志码 A FAIMS是一种新的气相分离技术，由于其高灵 上述研究仅考虑了电场强度的影响，却忽略了 敏度和高分辨率等特点，引起了国内外研究者的广 磁场的干扰。鉴于高场不对称方波电源系统设计 泛关注，并进行大量研究。 时，电路的输 出电压峰值在 3000V左右，频率为 FAIMS技术是建立在 Mason和McDaniel实验 J 500kHz左右，可见在高场不对称方波电源系统中， 的基础上发展起来的，其利用离子迁移率在高电场发 将产生高频变化的磁场。在 FA1MS迁移管系统中， 生改变这个特性来进行离子检测。当电场强度低于 磁场的产生除了是来 自高低射频电压所产生的磁 11000V／cm时，离子迁移率与电场强度和气体浓度 场，还来 自于不对称波形电源仪器，离子源仪器以 不相关；当电场强度升高到 11000V／cm以上时，离 及温度控制器的工作 电路所产生的磁场。FAIMS 子迁移率的变化与电场强度和气体浓度相关并且呈 是一个高灵敏度的检测仪器 J，周围较小的干扰都 非线性变化，随着 电场增大，离子迁移率增加；反之， 会使其分辨率和可靠性降低。 离子迁移率减小 。 本文重点分析了磁场对离子运动的影响。仅 在周期高低变化的电场下 J，离子向上或向 在电场作用下，离子在迁移管中的运动只与其本身 下加速运动直到离子和分子发生碰撞 ，碰撞的过程 性质相关 ，而磁场的存在，大大干扰 了离子在迁移 伴随着能量的释放或吸收，从而引起迁移管中气体 管中的运动，从而降低 了FAIMS的灵敏度和可靠 温度的升高或降低，碰撞过后的离子继续在电场力 性。为了屏蔽磁场对离子运动的影响，本文初步提 作用下加速运动，如此反复。在此过程中，从微观 出了具有屏蔽电磁干扰的FAIMS迁移管结构。 看，离子的运动是杂乱无章的，从宏观看，离子沿着 一 定的方向运动。 1 离子在迁移管中的运动情况 2011年3月24日收到 FAIMS迁移管中，一个带负电的离子以 (t)速 第一作者简介：吴福民(1985一)，安徽安庆人，硕士，研究方向：检 度水平运动时所受的力为 测技术及小信号放大。 F：g(E(t)+ (t)B(t)) (1