紫外光辅助超高真空化学气相淀积低温外延生长SiGe%2fSi材料的研究.pdfVIP

戴显英，胡辉勇，张鹤鸣， (西安电子科技大学徽电子研究所 西安710071) 于紫外光化学气相反应的机理，本技术具有淀积温度低的优点．基于切断光源即可瞬间终止反应的特点．本技术生 长的材料层与层之间的界面特性优异． 引言 台阶覆盖优良、技术成本低、设备简单、可大批量生产等一系列优点。因此，大多数SiGe材料的外 也与温度有关。因此，为了获得高质量的SiGe／Si材料，低温生长条件是非常必要的． 紫外光能量辅助化学气相淀积(UVCVD)13’41技术，利用光分解反应物质，因而淀积温度低。 超高真空背景及450℃低温条件下，外延生长出了性能优良的SiGe／Si异质结构材料。 低温淀积原理 料时会因失配而产生应力，应力的强度与SiGe材料中的Ge组分及生长温度等工艺条件有关。当SiGe 层厚度超过某一临界值，或温度过高时，应力释放，产生位错。在实际应用中，SiGe材料层的厚度 较薄。控制Ge元素和掺杂元素的分布及外扩散对材料的质量以及器件的性能就至关重要。因此， SiGe材料的生长温度是获得理想实用材料的重要工艺参数。 性能有一定的影响。本研究工作表明，单纯采用光CVD技术外延生长的SiGe／Si材料质量不理想， 材料晶体结构良好，且Ge及掺杂元素分布陡峭。 技术的优点，为SiGe／Si材料的生长提供了良好的超高真空环境，有效降低了C、02等有害杂质的 影响。 低温下光激励气相化学反应的机理是”’…：由低压汞灯发出的253．7rim的紫外光光子被作为敏化 分子反应，晟终生成SiGe沉积在Si表面。具体的反应步骤如下： a． 低压汞灯_hV(253．7nm光子) IDZ011 I，51439010101DZ0101) 模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(99JS09．3 150 b． ^v+坛(基态)_Hg’(激发三重态) C．He,’+H 2jH七H+Hg d．H+Sill4畸‘SlH 2 3+连’H2+‘．Sill+‘S．i’+H H+aeH4·‘GeHs+GeH2+．G．eH+。譬。+也 e． Ge+Si斗SiGe 工艺实验 本u3CVD技术材料外延系统主要由处理室、预备室、反应室、真空磁力传送杆、气路系统和控 制系统等部分组成，如图1所示。si片的清洗过程在处理室内完成，该室使si片自清洗过程开始即 与大气隔绝，以杜绝在清洗与传递过程中引入大气污染。预备室通过真空磁力传送杆将si片送入反 应室，利用光激励汞敏化分解反应气体进行SiGe／Si异质结材料的生长。控制系统可调控反应室的 衬底温度，反应气体的流量及反应时间等。 将预先在大气环境中己清洗过的si片放入处理室，然后再在惰性气体的保护气氛中进行最终处 理，包括有机、无机溶剂的清洗，如稀HF浸泡。稀HF的处理，可使si片表面悬挂键被H钝化， 避免了碳和氧等元素再次地污染。之后，将si片送入高真空或惰性气体保护的预备室。反应室始终 保持在高真空状态，当预备室真空度被抽到与反应室平衡时，打开真空闸板阀门，通过真空磁力传 对si片进行高温去氧化层处理，以彻底清除si片表面的残余氧化层。当衬底温度降到预置温度时， 即可通入反应气体，打开低压汞灯，进行材料的生长。 圈1u3CVD系统示意图 图2 U3CVDy-艺系统外形照片 结果分析 和俄歇分析结果以及表面形貌分析结果看到，随衬底温度的提高，材料的SiGe衍射峰变窄变高，材 晶性好，呈单品结构。这表明，在该温度范围内可以生长出高质量的SiGe薄膜。实验表明，材料的 生长速率与衬底温度及Ge组分含量等有关。图3是SiGe材料生长速率与衬底温度的关系，各样品 生长条件除衬底温度不同外，其它T艺参数，如反应气体流量、反应时间等都相同。图中，样品SiG。 层的厚度是由俄歇测试结果分析得出的。由