磁性隧道结Ni-%2c80-Fe-%2c20-%2fAl-%2c2-O-%2c3-%2fCo巨磁电阻效应地研究.pdfVIP

1999年 第十届全国磁学和磁性材料会议论文集 135 磁性隧道结r叮isoFe2dA1203／Co巨磁电阻效应的研究 杜军陈景吴小山鹿牧翟宏如胡安 南京大学物理系和固体微结构实验室南京210093 我们用等离子体氧化形成中问绝缘层的方法成功地制各出了具有巨磁电阻效应的Ni，。Fq—AI，0；／Co磁性隧道结。 00c．平台宽度约300e。结电 样品的隧道磁电阻(TMR)比值在室温下最高可达60％，翻转场(蚶itchfield)可低于l 阻的变化范围从几百欧姆到几百千欧．并且TMR比值随结偏压增大单凋减小。 1．引言 磁性隧道结与传统金属多层膜相比具有高内阻、低功耗、输出电压高等特点，且TMR效应对绝 缘层厚度不敏感，H。可以很低，已被认为在制备高空间分辨率、高灵敏度传感器及高密度随机存储器 方面有巨大潜力[“，某些性能可能超过自旋阀．因而成为当今凝聚态物理研究的热点之一。它一般由 上下两层铁磁体及中间一层绝缘体构成。当上下两层铁磁体的矫顽力不同(或一种铁磁层被钉扎)时， 它们的磁化方向随着外场的变化会呈现出平行或反平行状态。由于隧道电流的大小与两铁磁层的相对 取向密切相关【21，因此在外磁场作用下就会产生电阻的变化，其大小(RA-R，)，R，就是我们通常定义的 磁电阻比值，其中R。是磁化方向反平行时的电阻，R，是磁化方向平行时的电阻。本文主要报道我们 用等离子体氧化形成中间绝缘层的方法制备出的N{。Fe√A120dCo磁性隧道结的初步结果。 2．实验 Al层厚度 氧化时间 氧化气压 结电阻 磁电阻 ＼ (ilmj (秒) (Pa) f欧) (％) 样品是在JGP600A型超高真空多靶 A一1^ l 5 30 95 640 42 A一2# l 5 45 90 86K -I I 磁控溅射仪中制备的。我们采用外部换掩 A．3# i．5 60 10 15K 30 mask)的方法在玻璃村底上依 膜(shadow A4# l 5 75 95 1．7K 55 A-5# 1 5 90 9．5 34K 3．2 次沉积了3条NiFe电极、A1，0，层及最上 A．6舟 I 5 105 1l 220K08 面的一条Co电极。NiFe电极与Co电极呈 A-僻 1．5 120 10 220K 0．1 B-l# 2．O 15 9．5 500 43 十字交叉形，每片样品上包含3个在同等 B-2# 2．0 30 10 3．5K 6．0 工艺条件下制备的隧道结。NiFe和co电 B．3# 2．0 45 9．5 30K 50 0 23 B-辅 20 60 9 19K 5．2 极的宽度均为o．2mm，厚度分别是NiFe B．5# 20 90 9．5 63K 50 nm及Co15nm。溅射前背景气压小于1．0 B一甜 20 120 9．5 180K 07 20 135 10 290K 32 ×104 Pa。 B．7# Pa，溅射时氩气(At)压为1．2 B-8々 2．0 I 50 9o 170K 26