二种不同制备工艺GaAsMESFETs背栅效应研究.pdfVIP

二种不同制各工艺的GaAsAiESFETs的背栅效应研究+ 刘汝萍夏冠群赵建龙翁建华张美圣郝幼申 (中国科学院上海冶金研究所传感器开放实验室上海· 200050) 摘要： 本文设计了一套适用于不同工艺的背栅效应测试版图．分别用离子注^隔离工艺和半绝缘衬底自 隔离工艺在非掺杂的半绝缘Ga缸衬底上制备GaAsMESFETs，并对二种不同工艺在制各的MEsFETs器件 的背栅效应进行了研究。结果表明，采用离子注入隔离工艺制各的MESFETs器件的背栅效应要比采用半 绝缘衬底自隔离工艺制备MESFETs器件的背栅翦应小． ． 1． 引言 用离子注入的方法在非掺杂s卜G“s(半绝缘砷化镓)材料上制作脏sFET器件是C,a．4s集 成电路制作的重要方法，因为半绝缘的衬底可以提供器件之间良好的隔离和减小寄生电容。 然而器件的特性强烈地依赖于衬底材料的特性，特别是器件特性将受到加在邻近电极上的 负偏压的调制，器件的饱和漏电流减小，这种现象就是通常所说的背栅效应，背栅效应的 存在抑制了GaAs集成电路性能的提高。 已有许多研究者研究了不同形态、不同距离的背栅电极对GaAsMESFET器件特性的影啊 ““2”’，试图找出背栅效应与材料参数等的相互关系，从而改进材料的生长和采用适当的电 路布局。而实际上，器件的背栅效应不仅依赖于衬底材料的电学特性，还依赖于器件的制 备工艺。本文主要研究了离子注入隔离工艺和半绝缘衬底自隔离二种不同工艺制备的GaAs MESFET器件的背栅效应。 2．实验 一、背栅效应测试结构设计 图l为适用于各种不同工艺的背栅效应测试版图n其中MEsFET器件结构为：栅长为2u皿 栅宽蔓：JlO／．ua，漏源间距为6炉，背栅尺寸为10炉×10呻，背栅电极与MESFET之间的距离为10岫 压焊电极大小为80灿×80岫。 二、制各工艺 ’国家自然科学基金和离子柬开放实验室资助项目 分别用离子注入隔离二二=和半绝缘衬底自隔离工艺在非掺杂的半绝缘GaAs衬底上制各 GeAs MESFETs和背栅电极。制作流程如下： 离子注入隔离工艺：双离子注入5i退火形成有源层，注入能量分别为50KeV和90KeV， 2一B离子80KEY注入形成器件隔离，注入剂量为 注入剂量分别为5x10“cⅢ‘和1．5xlO—alll 8×lo”cm一一AuGeNi／Au合金化形成欧姆接触一光刻栅，挖槽蒸发TiPtAu形成肖特基栅。 姆接触一光刻栅，蒸发TiPtAu形成肖特基栅a 3．结果和讨论 之间施加负偏压‰，观察‰对MESFETs器件饱和漏电流I一的影响。 同工艺制备的MESFET管的背栅效应，为了方便比较，我们选用了归一化坐标，其中曲线(a) 均存在较明显的背栅效应，而且有一背栅阈值电压‰(th)，当施加在背栅电极上的负偏压v。 超过v。。(th)时，．～IESFET管的饱和漏电流会骤然下降。．同时，我们也观察到，用离子注入隔离 这就是说采用离子注入隔离工艺制备的MESFET的背栅效应要比采用平面选择注入衬底自隔 离工艺制备的MESFET的背栅效应小，采用离子注入隔离工艺制各MESFET可以减小器件的背 栅效应，因为注入隔离形成的损伤层的电阻率要比半绝缘衬底的电阻率大得多。图中还可 看到，发生背栅效应后，随着背栅负偏压继续增大，采用离子注入隔离工艺制各的MESFET 管的的Im一直减小，而采用平面选择注入衬底自隔离工艺制备的MESFET管，在k超过4．5V 时，1ws开始上升，这可能与半绝缘村底的击穿特性有关。在间距为lO岫的两独立电极上施 加电压，分别对两种工艺的击穿特性进行测试，发现采用村底自隔离，当电压加到几伏(5V 左右)时便出现击穿：而在注入隔离区电压施加到200V时才出现击穿。对于半绝缘GaAs衬 底，一般仍有106cm。一107cm’2的村底浓度，当施加一定的电压时，衬底的电子一空穴将发生 碰撞，产生击穿。因此，对于衬底自隔离工艺制备的MESFET管，随着背栅负偏压增大，将 96 发生背栅效应，即饱和漏电滤在一阈值电压下骤然减小．但是随着v。继续增大，衬底将发 生击穿，饱和漏电流回升。注入隔离形成的擐伤层的隔离效果要比自隔离钓效果好，不会 。