多晶硅太阳电池氢钝化探究.pdfVIP

多晶硅太阳电池氢钝化研究木 胡志华 刘祖明 陈庭金廖华 王书荣 魏晋云 (云南师范大学太阳能研究所 昆明650092) 摘要?利用Ac高压辉光放电产生氢等离子体．对多品砖太刚电池进行氢钝化处理．使多晶硅太阳 电池的短路电流(18c)、开路电压(roe)种填充网子(FF)等性能参数得到提高。 关键词：多晶硅：法阳电池氢钝化忙国 I I 1引言 多晶硅太阳电池以其性能潜力和相对低廉的材料成本优势而倍受国际光伏界的重视。和单晶硅相 比．多晶硅存在晶粒阃界和晶粒的不同取向，这些晶粒问界中的人封缺陷和悬挂键在硅的禁带中形成 的界面态是光生载流子的复合中心，影响多晶硅太日I电池性能特性和效率的提高。如何降低界面态密 度，减少界面复合所带来得光生电流损失是多晶硅太刚电池研究中的热点问题。氢钝化是降低界面态 密度进而提高多晶硅太阳电池性能特性的重要手段之一。夫多数氢钝化l：作都是与蒸发和光刻电极制 作工艺配合进行的。与生产上广泛使用的丝网印刷电极制作1二艺配合的氢钝化工作报道较少。 路电压(Voc)的提高。本I．忭是利J{』辉光放Lb产生氢苗离子体进行氢钝化处理．使多晶砖太阳电池 的短路电流(ISC)币】开路电乐(Voc)等参数都分别得到提高。 2 实验装置及实验方法 自制的实验装置，用50Hz的Ac高压电离氢产生氢等离子体，将多晶硅太日f电池放置 充№ 真空机纽 ^c高压 嘲t氢钝化宜验装饕 通氢动态真空度、电极间距和放电电压等a 实验所用样品由云南’F导体器件厂提供，由丁本实验所州4i英管口径的限制，实验时将lOxlO }云南省科蚕省院省校合作资助项目 —捌 磷硅玻璃层且无减反射膜；Bl有磷硅玻璃层、无减反射膜；c：有磷硅玻璃层、有Ti02减反射膜。基 片为BAYER公司的多晶硅片，丝网印刷电极。 处理前后的实验样品进行I—V测试对照。 3 实验结果及讨论 表1、2、3是三组实验样品处理前后的I—V测试参数对照表。 衰1 A组样品(无磷硅玻璃层和TiOz膜)I—V参数对照 ～＼参数 样片序荨＼ 开路电压Voc(mV)短路电流Isc(1IlA)填充因子FF ‘ Al 处理前 525 387．5 0．606 处理后 545 }20 395 +7．5 0．841 +0．035 A2 处理前 555 389 0．667 处理后 560 f+5 397．5 +8．5 0．675+0．008 A3 处理前 516 382．5 0．632 处理后 532 +16 387．5 +Z O．642+O．OlO 表2 B组样片(有磷砖玻璃层)I—V测试对照 ＼参数 短路电流Isc(1ⅡA)填充因子FF 样片序号、＼ 开路电压Voc(mV) 处理前 545 386 0．592 B1 处理后 555 +10 405 +20 0．652+0．‘030 处理葡 543 385 0．662