基于TIAEIA-899标准的TYPE-I型M-LVDS接收器设计.pdfVIP

CN43-1．258／TP 计算机工程与科学 第 37卷第 3期 2015年 3月 ISSN 1007—13OX ComputerEngineering Science Vo1．37，No．3，Mar．2015 文章编 号 ：1007—130X(2015)03—0452—05 基于TIA／EIA一899标准的TYPE—I型M—LVDS接收器设计 ， 李 智 。，陈迪平 赵建中 ，曹成成 (1．湖南大学物理与微 电子科学学院，湖南 长沙 410082；2．中国科学院微电子研究所 ，北京 100029) 摘 要 ：提 出了一种基于 TIA／EIA一899标准的 TYPE—I型M—LVDS接收芯片的实现方案，设计 了一 种新颖的共模搬移电路在 实现超越电源电压轨的共模输入范围的同时简化 了后级电路设计，节约 了面积 和功耗 ，电路 中预放大器将输入信号放 大一定倍数 ，迟滞 比较器为 系统 引入迟 滞效果。芯片采用 GSMC 0．18 m 1P6MCMOS工艺流片验证 。测试结果表明，该芯片共模输入范围为一1．4V～3．8V，信号传输 速率大于250Mbps，具有典型值为28mV的迟滞效果。 关键词 ：M—LVDS；高速接 口；共模 电压 ；迟滞 中图分类号 ：TN914．3 文献标志码：A doi：10．3969／j．issn．1007—13OX．2015．03．007 Design ofaTYPE_-IM__LVDSreceiverIC basedonTIA／EIA一899standard LIZhi～，CHEN Di—ping，ZHAOJian—zhong ，CaoCheng—cheng’ (1．SchoolofPhysicsandElectronics，HunanUniversity，Changsha410082； 2．InstituteofMicroelectronics，ChineseAcademyofSciences，Beijing100029，China) Abstract：WeproposeanimplementationschemeforaTYPE—IM—LVDSreceiverbasedonTIA／EIA一 899standard．A novelcommon-modevoltageshiftcircuitisdesignedtorealizean inputcommon—mode rangethatisbeyondtherailofthepowervoltage，whichcan simplifythepoststagecircuit，thussaving areaandpowerconsumption．Thepre—amplifierinthereceivercanprovideafixedmagnificationforinput signals，andthehysteresiscomparatorbringshysteresiseffectto thesystem．Thechip isfabricatedin GSMC0．18址m 1P6M CMOStechnology，andthetestresultsindicatethatthereceiverhasaninputcorn— mon—roodrangeof一 1．4V～3．8V，asignalingrategreaterthan250Mbps，andatypicalhysteresisvolt— ageis28mV． Keywords：M—LVDS；high—speedinterface；common—modevoltage；hysteresis VoltageDifferenticalSignaling)技术 ，并成为行业 1 引言 标准，即