全钽全密封电解电容器阴极表面研究.pdfVIP

中雷电子学台第十届电子元件学术年会论文集 98年9月 全钽全密封电解电容器阴极表面的研究 刘仲娥赵鹏王勇党晓春 (天津大学电子信息工程学院) 酗寝)车文i仓述丁大奎t鲑丛蝴皂窖鼎酆粥粥皓口怍工巷彰铋砝钽盒犀前勋j聿【化膜， 然后在其表僦谚獭雠嘣淦属腻鳓喇理J舌j搓lI㈣二层多孑愀锄j氇嘱腕以增加阴橱面积J 从而增加电容器的电容量． 关键词：全钽全密封电解电容器，阴极，钮移淦属 一、刖 吾 晦蕾尚沃糊电子工业的飞速笈展，对钽嘭糯的电炷售皂要求朔邀高。眦蛳l趋势 看·小容量(额定值1心、2F)钽电容器的市场}＆可能逐步敲多层陶瓷电容器所占领。这 主要是由于陶瓷电密．嚣的售价相当低廉，但在大容量力面钽电容器仍占有相当的优势。因为 陶瓷电容器要荔诵杖大的容量，必须增大体积，这提埔户所不能接受的。甫蜢移淫蹿随电容 器的关键是增大阴极的有效表面积。银外壳钽电容器—般采用在阴极表面镀铂黑的方法达到 增大阴极的有效表面积的目的[1】，而对于全钽全密封电解电容器，其阴极由钽金属制成， 钽在空气中易被氧化，因此，用处理银阴极的方法来增大钽阴极的有效表面积是行不通的。 美国早在七十年代初就开始研制全钽全密封钽电容器f2】，在铿阴极的制作方面积累了丰富 的经验，而我国述弼_的哟物羽搁炮步’搦蠡新的钽阴{僦艺f每对我匪睫|全翻时钽 电容器的碜f贫瘫蜊秀悯。 二、制作大容量钽电容器钽羁耳极的新工艺 ～一葡阼天捐鸵馥蔓i全密封鬯獭g强醚嘟工艺包括El下步黎 l、用少量的氢氟酸溶液处理钽阴极表面，以此来除去或毁坏阴极表面已形成的氧化物。 2、用化学沉积方、弦或溅射方法在已除去氧化膜的钽阴极表面沉积第一层不连续的呈岛 状结构的铂族金属膜(如图1(8j所示)，不连续膜的覆盖面积达209a就足够了。 3、在惰性气体环境中，对沉积的第—层金属膜进行热处理，使锚埃金属与钽金属形成 _层合金(如图l@所示)。合金比可以阳It钽金属庄空气中被氧化。 4、将热处理过的钽阴极材料轧制成所需形状。 5、在第_层合金膜上用电镀或其他方法继续沉积第=层多孔状铂族金穰膜，这层膜与 第一层膜可以不是同种金属(如图1(c)所示)。 钽阴极表面处理的工艺流程如图2中路线a所示： 三、讨 论 对于液体电解质全钽全密封电容器，其电性能除取决于芯子烧结、赋能工艺及液体电解 ·238· 质性篚之外，钽阴极内表面镀膜及处理工艺也很重要。 清理钽阴极表面固有的氧化膜，除用氢氟酸腐蚀以外，还可用二价锡盐或有机还原齐收E 理。这些活化积同-将钽金属表面清理干净，提高其襄面附着力，以便在其表面形成牢固的铂 族金属膜。成膜用的铂族元素最好用钯，因为它可以产生最大的电容量，从而可提供高效的 大容量电容端3]。 热处理工艺除了在惰性气体环境中i趟i外，也可在真宣j税中进行，其目的是阻止钽金 属表面在高温下继续靴。热妇蛰艘取决于所{朗j的锚姨金属的种类。热处理的最f嫩 应保证钽金属与铂族金属能形成台金；热处理的最高温度也不宜太高，以免钽金属基体发生 合金化或蒸发。钯与钽台金化自q每醢度范围大约是825C～1400C；铂与钽合金化的合适 与钽合金化的温度则需要更高—些。 通过溅射的方法也可以在钽金属表面直接形成铂族金属膜，这样可以省去用氢氟酸除去 钽氧化膜的步骤，然后通过热处理仍能使钽金属表面与铂族金属台金化，如图2中路线b所 示。另外，还可以用辉光放电啦谳去钽金属表面的宰眦膜，然后同样用溅射的方法形成 铂族金属膜。由于在溅射过程中钽金属表面与铂族金属已经发生了台金化，所以省去了热处 理步骤，如图2中路线c所示。 遵循以上工艺，在钽电容器阴极袭面t可得到多孔、疏松、不连续的铂够淦属膜。这大 大提高了钽阴极的表面积，而目这种膜对液体电#黼隋良好的漫润性，有助于改善全钽全密 封电容器的电性能，它是带十怍产品的关键工艺，有者刁潲视的地位与作用。 参考文献 1陈国光．电解电容器．北京：人民教育出版社，1989．159页 2 3 2