外压对氢氧化铝晶体电子结构及谱学性质的影响.pdfVIP

维普资讯 第 l8卷专辑 1 中国有色金属学报 2008年 6月 Vo1．18Special1 TheChineseJournalofNonferrousMetals Jun．2o08 文章编号：1004—0609(2008)S1．0242．09 外压对氢氧化铝晶体电子结构及谱学性质的影响 吴争平，陈启元，尹周澜，李 洁 (中南大学 化学化工学院，长沙 410083) 摘 要：用CASTEP程序计算不同外压下氢氧化铝的电子结构与谱学性质，分析外压对体系能带结构、态密度及 光学性质的影响。计算方法选用基于密度泛函理论(DFT)的广义梯度近似(GGA)方法，用PBE函数进行交换相关 系修正。能带结构计算结果表明，在较高外压下，如 10．0和20．0GPa，体系的能带结构较低外压下变化明显；体 系各k-point点的能隙值随外压的增加均呈增大的趋势，由此也可预测外压应该对体系的光学性质有一定的影响。 态密度计算结果表明，外压对最低能组态密度最高峰值影响最明显，其降低幅度分别达到 l5％和20％，价带所在 能组态密度最高峰值随外应力增加的减弱幅度相对较小，而外压对最高能组态密度最高峰值几乎没有影响。光学 计算结果表明，外压对氢氧化铝的光学性质有一定影响，其反射光谱和吸收光谱有明显变化，随外压的增大，体 系的主要反射峰位和吸收峰位对应的能量呈变大的趋势，对应的反射系数和吸收系数均明显增大。外压对介电函 数和导电系数的影响计算结果与对吸收光谱的影响是一致的。 关键词：氢氧化铝；电子结构；谱学性质；外压 中图分类号：O645 文献标识码：A Electronicstructureandopticalpropertiesofgibbsitecrystalunder differentexternalstress WUZheng—ping，CHENQi—yuan，YINZhou—lan，LIlie (SchoolofChemistryandChemicalEngnieering，CentralSouthUniversity,Changsha410083，China) Abstract：Electronicstructurena dopticalpropertiesofgibbsiteunderdifferentexternalsrtesseswerecalculatedusing CASTEPprogram．Theeffectsofexternalsrtessonbondstructure，DOSnadopticalpropertieswerenaalyzed．The calculationresultsnidicatethathtebondstructureunderhigherexternalsrtess，suchas10．0nad20．0GPa，ismore differentthanthatunderlowerexternalstress，andhteenergygapofeveryk—ponitofsystemsisnicreasedwiht augment ofexternalstress．thatistosay,hteexternalsrtessmay havesomeeffectonopticalproperties．Theeffectofexternal stressonDOSofhtelowesteneryg groupisverydistinct．nadthereductionis15％ nad20％ respectively．Thereduction ofhteenergygroupniw