规则锑化铟团簇颗粒的制备研究.pdfVIP

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增 刊 原 子 与 分 子 物 理 学 报 ! $%%’( ## 年 月 )**+ , -./0123.425.6782196.3:8/320;=!78! 2 ?)**+ # !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! 文章编号: ( )增刊 @***A*B+,)**+ A*@,CA*, 规则锑化铟团簇颗粒的制备 @ @ ) ) ) @ 周剑峰 ,许长辉 ,赵世峰 ,时钟涛 ,宋凤麒 ,韩 民 ( 南京大学材料科学与工程系,南京 ; 南京大学物理系,南京 ) @? )@**CB)? )@**CB 摘 要:采用低能团簇束流淀积( )装置,在不同温度的衬底上,制备得到不同形貌的锑化铟团簇颗 3:8D9 粒,如三角形颗粒、六边形薄片和长方体颗粒等 形貌的差别认为是由锑化铟各向异性生长所致 ? ? 关键词:锑化铟;形貌;各向异性 中图分类号: 文献标识码: .EF 6 及形状密切相关,因此制备不同形貌的 颗粒 @ 引言 7’!G 对于其发光性质的研究有着重要的意义? 锑化铟( )是一种 族窄带化合物, 7’!G ! H 时禁带宽度为 ,属于红外波段,在红 B**I *?@E%J ) 结果和分析 [] 外天文学以及热成像领域广泛使用 @ 同时,在所 ? 有的半导体材料中,锑化铟的电子迁移率是最快 实验的3:8D9装置由团簇源室、三级真空差 的,这在制作高速晶体管方面具有潜在的应用价 分系统以及样品沉积室构成 在团簇源室内,前驱 ? [ ] 值)#, 早期对锑化铟的研究主要针对薄膜样品, ? 物通过热蒸发生成气态物,经过和惰性冷凝气体的 旨在如何制备高质量的 晶体薄膜以保证其高 7’!G 碰撞,冷却形成团簇,而后经过差分系统的超声膨 的电子迁移率 但由于 和衬底材料的晶格失 ? 7’!G 胀作用,形成具有一定动能的准直束流,在沉积室

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