IGBT器件结构改进与器件性能提升.docVIP

IGBT器件结构改进与器件性能提升 　　摘要：文章提出了在常规IGBT器件结构中引入“Super Junction”结构的设想。利用半导体器件模拟仿真软件Medici建立改进的IGBT器件的结构并进行模拟仿真；通过对IGBT器件参数的优化，实现了IGBT器件结构中漂移区内中的少数载流子分布的优化、阻断电压和器件开关性能的提升。 　　关键词：IGBT Super Junction 少子分布 雪崩击穿 “闩锁”效应 　　 　　在各类电力电子功率器件中，绝缘栅型双极型晶体管（IGBT）功率器件兼具MOS和双极晶体管的功能和特点。IGBT作为双极型载流子器件，在导通状态下存在的“电导率调制”效应显著降低了导通电阻和导通损耗、提升了导通电流的密度。但也导致了器件关断速度的下降和关断期间的电流“拖尾”现象。 　　目前在功率器件市场上出现了一种被称为CoolMOSreg;的改进型MOSFET器件，它利用了一个被称为“Super Junction”的结构。与常规的MOS器件相比，具有“Super Junction”结构的击穿电压为600V的CoolMOSFET器件的导通电阻下降为原来的1/5，若击穿电压为1000V时，CoolMos器件的导通电阻可下降为原来的1/10。“Super Junction”结构出现使得导通电阻与击穿电压的关系从提升到了。 　　仿真器件的建立与结果分析 　　由于IGBT的结构与VDMOS的结构非常相似，区别仅在于IGBT用P+集电极结构替代了VDMOS的N+漏极结构。因此，可在IGBT器件的结构中引入“Super-Junction”结构。图1的左图为改进的PT-IGBT器件，它在PT-IGBT器件的结构中引入“Super-Junction”结构。右图为改进的NPT-IGBT器件，它在NPT-IGBT器件的结构中引入“Super-Junction”结构。 　　有研究表明，在电荷平衡条件下的“Super-Junction”结构器件的耐压和导通电阻能够达到较优的值。在电荷平衡条件下，具有“Super Junction”结构的器件在P柱区和N-漂移区的宽度满足以下条件： 　　 　　公式中，XN：N-base的宽度；NN：N-base的掺杂浓度；XP：2倍的P柱宽度；NP：P柱区的掺杂浓度； 　　 　　根据以上的条件，利用半导体器件模拟仿真软件Medici建立一组仿真器件用于仿真结果的比较分析。 　　器件的耐压特性分析 　　器件1：常规NPT-IGBT器件。主要结构参数为：N-base漂移区厚度44um，掺杂浓度2.5×1018cm-3；P＋集电极区掺杂浓度1×1018cm-3。栅氧厚度30nm，栅极阈值电压为3v。 　　器件2：引入了“Super Junction”结构。主要结构参数为：N-base漂移区厚度44um，掺杂浓度2.5×1014cm-3；P＋集电极区掺杂浓度1×1018cm-3。2个“Super Junction”结构的P条的掺杂浓度5×1014cm-3，结深35um，宽度为10um。栅氧厚度30nm，栅极阈值电压为3v。 　　IGBT器件的一个很重要的电学特性为击穿电压。为了承受较高的阻断电压，设计中要求较高的N-base漂移区厚度和较低的掺杂浓度（较高的漂移区电阻率）来防止IGBT的击穿。公式（3）反映了N-base漂移区的厚度和掺杂浓度与阻断电压的关系： 　　 　　可知在阻断条件下，较低的N-base漂移区掺杂浓度较低或漂移区厚度将导致穿通击穿发生杂浓度较低或漂移区厚度将导致穿通击穿的发生。 　　当IGBT器件处于阻断状态下，少量的空穴载流子经P+集电极被注入N-base漂移区。当耗尽区内的载流子受到一定强度的电场的作用而与晶格电子发生“碰撞电离”现象。由碰撞电离产生的电子和空穴对又受到高电场的加速发生进一步的碰撞而产生更多的电子和空穴对。这样的一个循环过程导致耗尽区内产生了大量的电子和空穴对，使电流迅速增加，P/N因而被击穿。此过程被称为“雪崩击穿”。因此过高的阻断电压会导致N-base/P-base结上的电场强度的显著上升，最终导致“雪崩”击穿的发生。对于硅器件的P/N结而言，发生“雪崩击穿”的电场强度约为3～7×105V/cm。 　　 　　公式中：ND为N-base漂移区的掺杂浓度；BV为击穿电压。从公式（4）看出降低N-base漂移区的掺杂浓度可获得较高的击穿电压。但这一结论与公式（3）产生了冲突，较低的N-base漂移区的掺杂浓度会导致穿通击穿问题。虽然可通过增加N-base漂移区的厚度来改善阻断条件下的“雪崩击穿”问题，但增加N-base漂移区的厚度也引起了器件生产成本的上升和其它性能的改变。 　　在Medici软件通过沿着电势梯度变化的路径方向计