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抗SEU动态刷新FPGA仿真验证技术研究 　　摘要：SRAM型FPGA在航天领域有着广泛的应用，配置刷新能提高SRAM型FPGA抗单粒子翻转的能力，目前宇航SRAM型FPGA的抗SEU动态刷新电路设计技术已经较为成熟，但是如何验证其功能正确性，没有给出特殊方法。本文提出四种消除单粒子效应造成的软故障的抗SEU的FPGA?O计方式，并重点针对周期性闭环配置刷新方式进行了仿真验证技术研究，找出验证该模式的关键验证要点，供验证人员作为指导。 　　关键词：FPGA；SEU；动态刷新；SRAM 　　中图分类号：TN791 文献标识码：A 文章编号：1007-9416（2018）02-0040-03 　　1 引言 　　基于SRAM的XilinxFPGA是由配置存储器和受其控制的可配置逻辑资源这两层叠加构成。配置存储器存储着FPGA配置程序，控制着FPGA可配置逻辑资源，包括布线资源、可编程逻辑器件、数字时钟管理单元等[1]。一旦配置存储器被单粒子打翻，就可能造成FPGA功能失效。目前航天设计师通常使用一次性可编程FPGA（Actel的反熔丝芯片）设计一种特殊可进行监控和重配置的抗SEU（单粒子翻转）装置，进行定期全局刷新和局部刷新XilinxFPGA的配置存储器，避免空间的单粒子翻转效应。本文对消除单粒子效应造成的软故障的方式进行介绍，并针对其中最常用的一种抗单粒子翻转装置提出仿真验证方案，验证其单粒子翻转的有效性，给出此类回读刷新设计的验证要点和验证技术方法。 　　2 消除单粒子效应造成的软故障的方式 　　基于SRAM的XilinxFPGA中的可重新配置逻辑，虽然给航天系统设计人员带来了灵活性和处理能力，但也是该器件的最大弱点，因此必须针对单粒子效应（SEE）进行妥善加固的话。三模冗余（TMR）的主要作用是存在单位翻转的情况下，确保系统层次的正确操作。正确实现TMR只能保证针对一个或若干配置翻转的设计层次的正确操作。为了预防翻转积累，刷新算法是需要的。强烈建议不要单独使用TMR或刷新。虽然必须考虑设计取舍，当二者同时部署时才能得到最有效的系统级加固。 　　表1列出了用来消除单粒子效应的常用的加固方法的优缺点。根据实际可靠性要求，对于Xilinx的FPGA可以采用下表所列的方式灵活组合来消除单粒子效应造成的软故障的影响，一般方式1和方式2或方式1和方式3应同时采用应对不同的故障模式，建议至少实现方式4[2]。 　　3 测试床组成 　　表1的方式3 由于其设计方法可行，既不中断FPGA 正常工作，对系统功能不影响，又可以及时纠正翻转故障，达到的抗单粒子效应最好，因此被最普遍用于航天产品设计中。该类电路通常是用另一片不易被单粒子翻转的反熔丝FPGA实现，设计的基本思想是对SRAM型FPGA的上电加载过程进行控制，然后通过回读验证技术回读FPGA配置区比特流，判定和定位配置区程序的翻转故障，通过内部SelectMap接口或者JTAG接口对配置区重载配置，从而修复故障[3]。 　　以一个抗SEU 反熔丝FPGA设计为实例，构建仿真测试床如图1所示，根据需求分析和实际应用场景构建仿真验证测试床，测试床应该与一个真正的PCB电路板一致，保证测试环境的正确性。 　　仿时钟和复位信号模型设计很简单，用于产生系统工作时钟和上电复位信号。 　　仿PROM模块仿真模型用于模拟FPGA外部放置SRAM型FPGA程序的PROM器件（通常为XQR17V16芯片），该模型不仅模拟和检测接口时序，内部还开辟了只读空间存放了SRAM型FPGA产品VirtexII系列fpga的配置bit文件。 　　仿SRAM型FPGA配置区模拟了配置区功能，除了完成接口的时序仿真以外，内部还开辟一块存储空间用于数据文件的存放。 　　4 验证要点和验证方法 　　本文针对目前航天主流SRAM型FPGA产品VirtexII系列fpga进行SelectMap接口回读刷新设计的ASIC电路或者FPGA设计，提出仿真验证要点及其验证方法。对FPGA设计先进行需求分析，得到设计的3个功能点：加载控制功能、回读判定功能、刷新重构功能。在该测试床中分别对这3个功能点进行验证，确保设计有效性。 　　4.1 加载控制功能 　　上电后，在SelectMap接口方式下，DUT与待刷新FPGA接口信号由DATA[0：7]，CCLK，CS_B，RDWR_B等信号构成，接口时序如图2所示[2]。测试内容包括下面3点。 　　（1）上电复位后，Xilinx FPGA的读写控制信号nwr、片选控制信号ncs为低电平，产生配置时钟cclk，prog_b信号有低电平脉冲，当init_b信号由低电平变为高电平后，应从PROM中读出配置数据，对Xilinx FPGA进行加载。 　　（2）当do