掺杂氧化锌锡复合透明导电薄膜的制备与性能研究-化学工艺专业论文.docxVIP

江西 江西理工大学硕士学位论文 摘要 万方数据 万方数据 摘 要 透明导电氧化物薄膜(简称TCO)，由于优良的电导性，以及在可见和近红外光波段 良好的光学透过率， HYPERLINK /my/tag_1_27744a30005/ 被广泛应用于薄膜太阳能电池、大面积平板显示器、有机光发射二 极管、低辐射(low-e)玻璃、透明薄膜晶体管及柔性电子器件等领域。目前，市场上应用 的TCO材料大部分是ITO薄膜，但仍然存在不少缺点。而氧化锌是人们已知的一种优良 的宽禁带半导体材料，其原材料丰富、无毒、无污染、与环境兼容性好、适用于大面积 制作、易掺杂，稳定性要好于ITO薄膜。所以，ZnO基透明导电薄膜成为了取代ITO薄膜 的首选材料。但是，氧化锌基材料还有很多技术瓶颈有待进一步解决和突破。本论文针 对当前ZnO基透明导电薄膜存在的问题开展研究，得到了如下结果： (1) 通过原位合成法制备了石墨烯/氧化锌复合透明导电薄膜。实验结果表明：真空 环境下退火可以得到生长情况良好的石墨烯/氧化锌复合透明导电薄膜；并且通过拉曼 光谱分析，热分解过程确实能够同时得到氧化锌和石墨烯。 (2) 通过溶胶-凝胶法制备了一系列锡掺杂的氧化锌薄膜。实验结果表明：退火温度 对其性能影响较大，XRD 中(002)衍射峰强度是先增大后减小，在 450℃时结构最好，退 火温度对光学透过率影响不大，但是退火温度的增加使禁带宽度呈现出下降的趋势； Sn 掺杂浓度的增加使得薄膜吸收边向短波方向偏移，并且光学带隙变大。在 Sn 掺杂浓度 为 2%时，ZTO 薄膜可见光透过率接近 90%，表面粒晶起伏较小。 (3) 通过直流磁控溅射工艺制备了铝掺杂氧化锌透明导电薄膜。实验结果表明：制 备的薄膜样品均表现出 c 轴择优取向，在可见光波长区域内透过率受溅射功率影响不大， 当溅射功率为 120 W 时，薄膜生长情况最好，晶粒尺寸也达到了最大值，方阻值在达到 最低值为 207 ?/□。 (4) 通过溶胶凝胶法制备了一系列石墨烯掺杂的氧化锡薄膜。实验结果表明：石墨 烯的掺入能够使氧化锡薄膜的晶体质量得到提高，薄膜的光学带边往长波方向发生移动, 即产生“红移”现象。随着石墨烯含量的增加，氧化锡薄膜的光致发光强度表现为逐步 淬灭的现象。 研究结果为改善 ZnO 薄膜的结构和光电性能提供了实验依据，为 ZnO 基透明导电 薄膜和 ZnO 薄膜光电器件的的制备提供了具有参考价值的理论依据和实验方法。 关键词： 透明导电氧化物薄膜；原位合成；溶胶-凝胶法；磁控溅射法；光电性能 I Ab Abstract Abstract Transparent conductive oxide films(TCO), with good electrical conductivity and high transmittance in the visible-near infrared, have been widely used in thin-film solar cells, large area flat panel display, oganic light emitting diodes, low emissivity glass, transparent thin film transistor, flexible electronic devices and other areas. At present, most of commercial TCO materials are ITO films，but there are still many shortcomings. Zinc oxide is a wide band gap semiconductor material, with low price, non-toxic, non-polluting, environmentally compatible, suitable for the production of large area, easy doping and the stability better than ITO films, etc. Therefore, ZnO-based transparent conductive film is most likely to replace the ITO film. However, we found that there are a lot of basic research or technical bottlenecks of ZnO-based materials need to be improved and breakthroughs. In order t