课件：制造与封装对器件电性的影响.ppt

Na+来源广泛，要完全避免非常困难。 由于高纯化学试剂、高纯水和高等级净化环境的广泛采用，一般认为Na+的主要来源是高温氧化/扩散炉石英炉管表面的沾污造成的，应该经常保持石英炉管的清洁以减少Na+沾污。 清洁石英炉管的方法之一是在炉管内通入HCl。 实践表明，采用HCl处理效果明显，SiO2的Na+沾污可以降低一个数量级。 ? ? 氧化硅薄膜的作用二氧化硅薄膜最重要的应用是作为杂质选择扩散的掩蔽膜，因此需要一定的厚度来阻挡杂质扩散到硅中。二氧化硅还有一个作用是对器件表面保护和钝化。二氧化硅薄膜还可作为某些器件的组成部分：（1）用作器件的电绝缘和隔离。（2）用作电容器的介质材料。（3）用作MOS晶体管的绝缘栅介质。三、氧化硅薄膜常见的问题1、厚度均匀性问题。造成不均匀的主要原因是氧化反应管中的氧气和水汽的蒸汽压不均匀，此　外氧化炉温度不稳定、恒温区太短、水温变化或硅片表面状态不良等也会造成氧化膜厚度不均匀。膜厚不均匀会影响氧化膜对扩散杂质的掩蔽作用和绝缘作用，而且在光刻腐蚀时容易造成局　部钻蚀。2、表面斑点。造成斑点的原因有：（1）氧化前表面处理不好。（2）氧化石英管长期处于高温下，产生一些白色薄膜落在硅片表面上。（3）水蒸汽凝聚在管口形成水珠溅在硅片表面上或水浴瓶中的水太满造成水珠射入石英管内，或清洗残留的水迹。出现斑点后斑点处的薄膜对杂质的掩蔽能力比较低，从而造成器件性能变坏，突出的大斑点会影响光刻的对准精度。3、氧化膜针孔。当硅片存在位错和层错时就会形成针孔，它能使扩散杂质在该处穿透，使掩蔽失效，引起漏电流增大，耐压降低，甚至穿透，还能造成金属电极引线和氧化膜下面的区域短路造成失效。4、反型现象。由于表面玷污，氧化膜中存在大量的可移动的正电荷，如钠离子、氢离子、氧空位等使P型硅一侧感应出负电荷，从而出现了反型。5、热氧化层错。产生的原因有： （1）硅片本身的微缺陷。 （2）磨抛或离子注入造成的表面损伤，表面玷污。 （3）高温氧化中产生的热缺陷和热应力。TOC含量高会使栅氧化膜尤其是薄栅氧化膜中缺陷密度增大，所以栅愈薄要求TOC愈低。 SiO2厚度的检查测量厚度的方法很多，有双光干涉法、电容—压电法、椭圆偏振光法、腐蚀法和比色法等。在精度不高时，可用比色法来简单判断厚度。比色法是利用不同厚度的氧化膜在白光垂直照射下会呈现出不同颜色的干涉条纹，从而大致判断氧化层的厚度。颜色? ?? ?? ?? ?? ?? ?氧化膜厚度（埃）灰? ?? ?? 100黄褐? ?? ?300蓝? ?? ?? ?800紫? ?? ?? ?1000? ?? ?2750? ???4650? ?? ?6500深蓝? ? ? 1500? ?? ?3000? ???4900? ?? ?6800绿? ?? ???1850? ?? ?3300? ???5600? ?? ?7200黄? ?? ???2100? ?? ?3700? ???5600? ?? ?7500??橙? ?? ?? ?2250? ?? ?4000? ???6000红? ?? ? ??2500? ?? ?4350? ???6250 芯片焊接(粘贴)方法及机理 ??? 芯片的焊接是指半导体芯片与载体（封体或基片）形成牢固的、传导性或绝缘性连接的方法。焊接层除了为器件提供机械连接和电连接外，还须为器件提供良好的散热通道。其方法可分为树脂粘接法和金属合金焊接法。 树脂粘贴法 树脂粘贴法是采用树脂粘合剂在芯片和封装体之间形成一层绝缘层或是在其中掺杂金属（如金或银）形成电和热的良导体。粘合剂大多采用环氧树脂。环氧树脂是稳定的线性聚合物，在加入固化剂后，环氧基打开形成羟基并交链，从而由线性聚合物交链成网状结构而固化成热固性塑料。其过程由液体或粘稠液 → 凝胶化 → 固体。固化的条件主要由固化剂种类的选择来决定。而其中掺杂的金属含量决定了其导电、导热性能的好坏。 封装对器件电性的影响 ???掺银环氧粘贴法 掺银环氧粘贴法是当前最流行的芯片粘贴方法之一，它所需的固化温度低，这可以避免热应力，但有银迁移的缺点 。 近年来应用于中小功率晶体管的金导电胶优于银导电胶 。 非导电性填料包括氧化铝、氧化铍和氧化镁，可以用来改善热导率。树脂粘贴法因其操作过程中载体不须加热，设备简单，易于实现工艺自动化操作且经济实惠而得到广泛应用，