集成电路射频控制系统研究-集成电路工程专业论文.docxVIP

目 录 HYPERLINK \l _bookmark0 目 录 3 HYPERLINK \l _bookmark1 第一章 集成电路制造工艺简介 1 HYPERLINK \l _bookmark2 1.1 集成电路发展历史 1 HYPERLINK \l _bookmark3 1.2 工艺流程 2 HYPERLINK \l _bookmark4 离子扩散（DIFF） 3 HYPERLINK \l _bookmark5 光刻（LITHO） 3 HYPERLINK \l _bookmark6 薄膜淀积（Thin Film） 4 HYPERLINK \l _bookmark7 蚀刻（ETCH） 4 HYPERLINK \l _bookmark8 第二章 干法蚀刻工艺原理研究 7 HYPERLINK \l _bookmark9 2.1 电浆蚀刻技术 7 HYPERLINK \l _bookmark10 2.1.1 电浆原理 7 HYPERLINK \l _bookmark11 2.1.2 电浆的产生方法 8 HYPERLINK \l _bookmark12 2.1.3 电浆辅助蚀刻技术 10 HYPERLINK \l _bookmark13 2.2 蚀刻速率和选择性的控制 12 HYPERLINK \l _bookmark14 2.2.1 离子能量的入射角 12 HYPERLINK \l _bookmark15 2.2.2 工艺气体的成分 13 HYPERLINK \l _bookmark16 2.2.3 压强、频率和功率密度 14 HYPERLINK \l _bookmark17 2.2.4 流量 15 HYPERLINK \l _bookmark18 2.2.5 温度 15 HYPERLINK \l _bookmark19 2.3 电浆干法蚀刻的硬件组成 16 TOC \o 1-1 \h \z \u HYPERLINK \l _bookmark20 Chamber 反应仓 16 HYPERLINK \l _bookmark21 Pump 泵 18 HYPERLINK \l _bookmark22 Meter 压力计 22 HYPERLINK \l _bookmark23 VALVE 阀 24 HYPERLINK \l _bookmark24 MFC 流量计 25 HYPERLINK \l _bookmark25 第三章 电浆与射频研究 27 HYPERLINK \l _bookmark26 3.1 电浆 27 HYPERLINK \l _bookmark27 3.1.1 电浆的产生方法 27 HYPERLINK \l _bookmark28 3.1.2 电浆的分类 28 HYPERLINK \l _bookmark29 3.1.3 电浆的参数 28 HYPERLINK \l _bookmark30 3.2 电浆源介绍 30 HYPERLINK \l _bookmark31 CCP 电浆源 30 HYPERLINK \l _bookmark32 ICP 电浆源 31 HYPERLINK \l _bookmark33 ECR 电浆源 33 HYPERLINK \l _bookmark34 3.3 电浆诊断 34 HYPERLINK \l _bookmark35 3.3.1 朗谬探针诊断 34 HYPERLINK \l _bookmark36 3.3.2 光学诊断 35 HYPERLINK \l _bookmark37 3.3.3 电学性能诊断 36 HYPERLINK \l _bookmark38 3.4 电浆干法蚀刻相关参数 37 HYPERLINK \l _bookmark39 3.4.1 电浆密度 37 HYPERLINK \l _bookmark40 3.4.2 电浆密度均匀性 37 HYPERLINK \l _bookmark41 3.4.3 电浆直流偏压 38 HYPERLINK \l _bookmark42 3.4.4 射频频率 38 HYPERLINK \l _bookmark43 第四章 射频系统研究 39 HYPERLINK \l _bookmark44 4.1 射频系统概述 39 HYPERLINK \l _bookmark45 4.1.1 射频系统定义 39 HYPERLINK \l _bookmark46 4.1.2 射频发射器使用范围 40 HYPERLINK \l _bookmark47 4.1.3 射频发射器工作原理 40 HYP