GaN行业深度研究和分析报告：5G、快充、UVC，第三代半导体.pdf

[table_main] 行业深度模板 证券研究报告 ·行业深度研究 GaN 行业深度：5G、快充、 [table_indusname] 电子 UVC——第三代半导体潮起 射频GaN 在5G 基站和军用雷达的应用中独具优势 GaN 射频器件具有高频、高功率、宽带宽、低功耗、小尺寸的特点， 能在5G 时代节省宝贵的PCB 空间，并达到良好的功耗控制。GaN- 维持 买入 on-Si 有望挑战BTS 和RF 功率市场中现有的LDMOS 解决方案。到 2024 年GaN 射频市场空间可达20 亿美元，CAGR 达2 1%，主要由 军用雷达和无线基础设施市场拉动。全球市场主要由以Cree 和住友 发布日期： 2020 年02 月 18 日 电工为代表的美日企业统治，国内厂商如三安光电、海特高新、华进 创威在GaN RF HEMT 领域有一定实力。 快充、汽车电子、消费电子推动功率GaN 放量 GaN 在电源管理、发电和功率输出方面具有明显的技术优势。在600 伏特左右电压下，其在芯片面积、电路效率和开关频率方面明显优 于硅，这使电源产品更为轻薄、高效。并且，GaN 充电器体积小、 功率高、支持PD 协议，有望在未来统一笔电和手机的充电器市场， 市场前景广阔。预计2024 年GaN 电源市场将超过3.5 亿美元，CAGR 达 85 ％，GaN 快充是主要推动力量。全球市场由Infineon、EPC 、 市场表现 GaN Systems 、Transphorm 和Navitas 等公司主导，产品主要由TSMC， 74% Episil 、X-FAB 代工。国内新兴代工厂中，三安光电和海特高新具有 54% 量产GaN 功率器件的能力。 34% 14% 疫情中短期内刺激光电市场，基于GaN 的深紫外UVC 需求高涨 -6% 8 8 8 8 8 8 8 8 8 8 8 8 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 GaN 因其材料的高频特性是制备紫外光器件的良好材料，GaN 基紫 / / / / / / / / / / / / 2 3 4 5 6 7 8 9 0 1 2 1 / / / / / / / / 1 1 1 / 9 9 9 9 9 9 9 9 / / / 0 1 1 1 1 1 1 1 1 9 9 9 2 外激光器在紫外固化、紫外杀菌等领域有重要的应用价值。疫情期 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 0 2 2 2 2 2 2 2 2 0 0 0 2 2 2 2 间，中美都已启用基于GaN 的UVC 进行消毒杀菌。2018 年全球UV 电子 沪深300 LED 市场规模达