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图5-76 加入快速恢复二极管 MOSFET的结构 NMOS管构成的开关电路及其等效电路 MOSFET的特性 NMOS管组成的电路及其动态特性 MOSFET的特性 IGBT的结构 绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)是由BJT(双极型晶体管)和MOS(绝缘栅型场效应晶体管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET高输入阻抗和GTR低导通压降两方面的优点。 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) IGBT的结构 IGBT的内部结构剖面示意图、简化等效电路、电气符号 a)内部结构剖面示意图 b)简化等效电路 c)电气符号 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) IGBT的静态特性 IGBT的转移特性和输出特性 a)转移特性 b)输出特性 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) IGBT的动态特性 IGBT的动态特性 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) IGBT驱动 既可以采用分离器件设计，也可以采用专用电路 IGBT驱动 既可以自行设计，也可以采用专用电路 智能功率模块（IPM） IPM是Intelligent.Power Module的缩写，是一种先进的功率开关器件，兼有GTR(大IGBT)高电流密度、低饱和电压和高耐压的优点，以及MOSFET(场效应晶体管)高输人阻抗、高开关频率和低驱动功率的优点。 IPM等于IGBT十驱动+保护(过流、短路、超温、欠压)+制动，IPM中的每个功牵组件都设置有各自独立的驱动电路和多种保护电路，能够实现过电流、短路电流、控制电压降低及过热保护等功能。一旦发生负载事故或使用不当等异常情况，模块内部即以最快的速度进行保护，同时将保护信号送给外部CPU进行第二次保护。 智能功率模块（IPM） 智能功率模块（IPM） IPM的功能框图 智能功率模块（IPM） 3、散热器 PCU（功率控制单元）主体由控制底板电路、双面散热的功率半导体元件、层叠型冷却器及电容器等构成。PCU内的功率半导体从两面进行冷却。过去采用的是单面冷却。 第二章 电动汽车的主要部件及工作原理 2.3 电动汽车驱动控制器 2.3 电动汽车驱动控制器 一、控制器结构及主要元件 一、控制器结构及主要元件 一、控制器结构及主要元件 1、DSP控制器 TMS320 F28335 2、功率器件及驱动电路 金属-氧化物-半导体场效应晶体管(功率MOSFET) 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 智能功率模块（IPM） ) 1.金属-氧化物-半导体场效应晶体管(功率MOSFET (1)MOSFET的结构 功率MOSFET是用半导体的场效应制作的功率晶体(2)MOSFET的开关特性 在电动汽车的电驱动系统中，MOSFET的开关特性应用最多。 图5-73 典型平面N沟道增强型场效应管 MOSFET的结构 一种N沟道增强型功率MOSFET的结构图 MOSFET的结构
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