ALD薄膜在模拟体液和海水中的抗腐蚀性能.docxVIP

第一章引言 1.1原子层沉积技术研究背景概述 ALD (Atomic Layer Deposition原子层沉积)，也被称为单原子层沉积或原子层外延(Atomic Layer Epitaxy) [11o在1990年后，伴随着微电子和纳米级芯片技术的发展，人们对器件以及材料的尺寸要求越来越高，比如器件需要有较大的高宽比，材料的厚度往往要减低到几个纳米的数量级邓。在这些要求面前，原子层沉积技术的优势体现了出来。比如，可以进行单原子层逐次沉积，从而获得非常薄的薄膜。利用该技术可获得厚度极度均匀的薄膜，且一致性非常优异。因此，原子层沉积技术在20世纪90年代中期得到了更高的关注和更加快速的发展。 1.1.1原子层沉积原理 原子层沉积技术是将两种气相前驱体以脉冲形式交替的通入ALD反应器中，然后在沉积基体上经过化学吸附，反应后形成沉积薄膜的一种方法。在通入前驱体的脉冲期间，需要通入惰性气体，如氮气等，对沉积反应器进行清洗。原子层沉积的关键是前驱体能否在基体材料上顺利的吸附。图1. 1为气相前驱体在基体材料表面的吸附特征。从图1可以看出，吸附于基 位能 化学吸附 ?/z 化学暇附活化陡物理吸附热物理吸附 化学暇附活化陡 图1.1物质在材料表面物理和化学吸附特征 体材料对于任何气相物质都是可以的。但是气相物质要是能够化学吸附在基体材料表面上必须具备一定的活化能。所以，选择正确的气相物质对于原子层沉积技术是非常重要的。 原子层沉积具有自限制特性（self-limiting）,这种特性是原子层沉积技术的基础，薄膜的形成依靠的就是这种不断重复循环的自限制反应。图1.2为原子层沉积技术的自限制反应示意图。 mtmrirW ,*：?.* ?*? \ （*?） %%??. .；? . .（c） rr . t （＜f） :.?‘? （?）化学吸IH（CS） （b）顺次反鹿（KS） 图1.2原子层沉积自限制反应过程示意图 从图中可以看到，左侧介绍的为化学吸附自限制过程，右侧为顺次反应自限制过程。对于化学吸附，它是由前驱体I （在图例中为MLQ和前驱体II （在图例中为AND在基体表面上直接反应后生成产物LN薄膜。当第一种前驱体进入原子层沉积反应器后，化学吸附在基体表面上，第二种前驱体通入原子层沉积反应器中，与已经吸附在基体表面的第一种前驱体发生化学反应生成产物，直至第一种前驱体消耗完毕后，反应会自动停止。由此可见，这是一个自限制的过程。对于顺次反应自限制过程，从图中可以看到，首先是活化剂（在图例中为AN）通入反应器中，使得基体表面得到活化。随后前驱体I （在图例中为MLQ通入反应器中，与经过活化的基体表面反应形成吸附中间体（AML）,该反应一直进行，直至活化剂（AN）被消耗完毕。该过程为一个自限制过程。随后前驱体II （在图例中为AM）通入反应器中，与吸附中间体反应，最终形成目标原子层。 表1.1详细的展示了原子层沉积的特点，薄膜在生成过程中的相关参数以及在实际生产中原子层沉积技术的优势。 对于传统的薄膜制造，人们往往使用的是PVD （物理气相沉积）以及CVD （化学气相沉积）的方法，但原子层沉积技术无论是在沉积原理，沉积反应条件还是在沉积设备上，都和 表1. 1原子层沉积的特征及其对薄膜生长参数和实际生产的作用 ALD特征 薄膜生长过程参数 对实际生产有利影响 薄膜厚度这和脉冲性循环沉积的次数有关系；反应剂的流 薄膜的厚度便于控制，加工精 度更高更简单；可以在较大面 自限制生长过程 速对沉积的过程没有影响； 有足够的时间完成各个步骤 积的基体表面进行沉积；沉积一致性优秀；可以在台阶状表面进行沉积；没有颗粒污染。 拥有好的沉积重复性；对于固 分次通入反应剂 的反应 体前驱体，对它的气化过程没有过多的要求；方便进行界面改性。 在很宽的温度范围内进行沉 对于不同材料，它们的沉积条 反应剂的选择广泛；反应的温 积 件相差不大，相容性好。 度低；具备很高的沉积层质量；易于制备多层膜。 以上两种方法有着不同之处，表1.2详细的比较了原子层沉积和CVD, PVD的异同。通过表格，可以看出，原子层沉积技术除了沉积速度慢，效率低以外，具备了传统薄膜制造方法无法比拟的优点。比如优秀的台阶覆盖率，沉积层均匀性,精度高，薄膜厚度易于控制，沉积均匀性优秀等⑷。 在原子层沉积技术刚刚产生时，人们往往使用常规的热原子层沉积技术。但由于它沉积速率低，对某些沉积薄膜的沉积温度要求过高等缺点，使其在工业方面的应用受到了一定的限制。为了克服这些缺点，一些课题组提出了不同的解决方法，将ALD技术和其他技术相结合，开发出了如等离子增强ALD,电化学ALD,强氧化剂辅助ALD等技术。其中热处理原子层沉积(Therm