碳化硅衬底，新能源与5G的基石.docxVIP

目录 新能源与 5G 建设的基石：碳化硅衬底 5 基站侧 GaN 渗透提升，未来增长空间广阔 7 碳化硅功率器件替代空间广阔+新能源车增长趋势确立 10 SiC 应用的关卡：SiC 衬底的供应 19 需求旺盛，供给不足：碳化硅衬底供应亟待解决 19 高技术壁垒带来的行业生态：高集中度、强整合趋势、锁单 22 投资建议 27 为何在当前时点看好SiC 行业？ 27 图表目录 图 1：SiC、GaN 产业链 5 图 2：主要半导体材料外延层+衬底的应用领域 5 图 3：GaAs、GaN、SiC 等化合物半导体逐渐成为半导体技术发展的重要方向 6 图 4：不同材料微波射频器件的应用范围对比 7 图 5：基站是 SiC 基 GaN 的重要应用领域 7 图 6：5G 射频单元数量更多 8 图 7：中国新建 5G 基站数量预测（单位：万个） 8 图 8：GaN 射频器件市场规模预测（单位：亿美元） 9 图 9：SiC 材料可以使功率器件、系统缩小体积、降低能量损耗 10 图 10：SiC 材料是新能源领域的理想材料 11 图 11：SiC 可以以 SBD 的高频结构替代较高压硅基 PND、FRD 12 图 12：SiC 可以以 MOSFET 结构部份替代目前硅基 IGBT 器件 12 图 13：SiCMOSFET 和模组具有高频、高压的优势 12 图 14：SiC 基的 MOSFET 与硅基的 MOSFET、IGBT 相比均有优势 13 图 15：以丰田采用的 6.1kWSiCOBC 模块为例，其功率密度是 3.3kW 硅 OBC 模块的 4 倍 13 图 16：目前 SiC 功率器件中 SBD、MOSFET 等产品相对成熟，已逐步用于新能源领域 14 图 17：主要国家和地区的汽车发展趋势 15 图 18：各国汽车销量持续回升（单位：千辆） 15 图 19：我国汽车销量（单位：万辆） 15 图 20：未来电子系统价值量将持续增加（单位：%；美元） 16 图 21：传统汽车半导体占比 16 图 22：纯电动汽车新增半导体用量中大部分为功率半导体 16 图 23：2014~2021 全球功率半导体市场规模（单位：亿美元） 17 图 24：2014~2021 年中国功率半导体市场规模（单位：亿美元） 17 图 25：未来新能源车增长迅猛（单位：百万台） 18 图 26：SiC 在新能源车的市场空间（单位：亿美元） 18 图 27：全球新增光伏装机量（GW） 18 图 28：光伏逆变器中 SiC 功率器件占比预测 18 图 29：SiC 功率器件应用领域 19 图 30：SiC 主要应用领域市场规模（单位：亿美元） 19 图 31：从 SiC 器件成本结构而言，衬底是制约其应用的重要因素 20 图 32：6 英寸衬底片价格（单位：美元/片） 20 图 33：SiC 衬底及器件起步较晚，技术、产业发展不够成熟 20 图 34：目前较为强势的 SiC 衬底/器件厂商主要为 IDM 模式 22 图 35：2018 年导电型 SiC 衬底厂商占有率 22 图 36：CREE 已签长期订单（单位：百万美元） 23 图 37：2020 年全球新能源车销售情况（单位：万辆） 27 图 38：2017~2025 年 SiC 晶片需求量（折合 4 寸片，万片） 27 图 39：碳化硅行业投资逻辑 28 表 1：三代半导体材料对比 6 表 2：GaN、GaAs 和 LDMOS 性能比较 7 表 3：中国 5G GaN 晶圆需求预测 9 表 4：SiC 材料相比硅材料具备多种优势 10 表 5：全球 SiC 衬底龙头、功率器件龙头积极扩产或以长期供应协议、收购衬底厂商来保障产能 23 表 6：2018~2020 年我国 SiC 相关专利数量情况（单位：项） 24 表 7：国内外主要 SiC 衬底供应商比较 25 表 8：目前部份国内外 SiC 衬底性能情况 25 表 9：全球 SiC 衬底/器件主要厂商对 SiC 未来增长乐观 27 新能源与 5G 建设的基石：碳化硅衬底 碳化硅（SiC）衬底是第三代半导体材料中氮化镓（GaN）、碳化硅应用的基石。受技术与工艺水平限制，GaN 材料作为衬底实现规模化应用仍面临挑战，其应用主要是以蓝宝石、硅（Si）晶片或半绝缘 SiC 晶片为衬底，通过外延生长 GaN 外延层以制造 GaN 器件，主要应用于宏基站通信射频领域；而 SiC 材料则主要以在导电型 SiC 衬底上外延生长 SiC 外延层，应用在各类功率器件上，近年来随着技术工艺的成熟、制备成本的下降，在新能源领域的应用持续渗透。由