半导体二极管及基本电路解读.ppt

模 拟 电 子 技 术 3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 二极管是一种非线性器件，因而其电路一般 要采用非线性电路的分析方法，相对来说比较复 杂，而图解分析法则较简单，但前提条件是已知 二极管的 V - I 特性曲线。 模 拟 电 子 技 术 例 3.4.1 电路如图所示，已知二极管的 V - I 特性曲线、电源 V DD 和电阻 R ，求二极管两端电压 v D 和流过二极管的电流 i D 。 解：由电路的 KVL 方程，可得 R V i D DD D v ? ? DD D D 1 1 V R R i ? ? ? v 即 是一条斜率为 -1/ R 的直线，称为 负载线 Q 的坐标值（ V D ， I D ）即为所求。 Q 点称为电路的 工作点 模 拟 电 子 技 术 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 一、二极管伏安特性建模 1 、理想模型 v D i D 代表符号 : + D v D i - 正偏导通， v D = 0 ； 反偏截止， i D = 0 R = ? 由图可见，在正向偏置时， 其管压降为 0V ，而当二极管 处于反向偏置时，认为它的 电阻为无穷大，电流为零。 在实际的电路中，当电源电压远比二极 管的管压降大时，利用此法来近似分析 是可行的 . 模 拟 电 子 技 术 2 、恒压降模型 v D i D 代表符号 : v D ≈ 0.7 V (Si) 0.2 V (Ge) + - D v D i 当二极管导通后，其管压 降认为是恒定的，且不随 电流而变， 只有当二极管的电流 i D 近似等于或 大于 1mA 时与结果接近。 模 拟 电 子 技 术 + - D v D i V th r D 3 、折线模型 D 0.7 0.5 200 1 V V r mA ? ? ? ? v D i D 代表符号 : 门坎电压 V th ≈ 0.5 V (Si) 0.1 V (Ge) 为了较真实地描述二极管 V-I 特性， 认为二极管的管压降不是恒定的， 而是随着通过二极管电流的增加而 增加，所以在模型中 用一个电池和 一个电阻 r D 来作进一步的近 似 。 电池的电压选定为二极管的 门坎电压 V th: r D 的值，当二极管的导通电流为 1mA 时， 管压降为 0.7V ，于是 r D 的值可计算如下： 模 拟 电 子 技 术 v s =0 时 , Q 点称为静态工作点 ，反映直流时的工作状态。 ) ( 1 1 s DD D D v v ? ? ? ? V R R i v s = V m sin ? t 时（ V m V DD ） , 将 Q 点附近小范围内的 V-I 特性线性化，得到 小信号模型，即以 Q 点为切点的一条直线。 4 、小信号模型 模 拟 电 子 技 术 v D i D Q 代表符号 : D i ? D v ? + - D r D v ? D i ? 求微变电阻 r D: D D D v r i ? ? ? 1 d d g r ? T D D V r I ? 二极管工作在正向特 性的某一小范围内时，其 正向特性可以等效成一个 微变电阻。 常温下（ T =300K ） : ) mA ( ) mV ( 26 D D d I I V r T ? ? D D Q di dv ? / [ ( 1)] D T v v S D Q d I e dv ? ? / D T v v S T Q I e V ? D T I V ? ) 1 ( / S D D ? ? T V v e I i 据 得 Q 点处的微变电导 模 拟 电 子 技 术 1. 整流电路 （ a ）电路图 （ b ） v s 和 v o 的波形 二、模型分析法应用举例 模 拟 电 子 技 术 2 、二极管电路静态工作分析 例 : 硅二极管， R = 10 k ? ，分别用二极管理想模 型、恒压降模型和折线模型求出 （ 1 ） V DD = 10 V 、 （ 2 ） V DD =