模拟电子技术基础：第一章 常用半导体器件.pptVIP

模拟电子技术 晶体三极管 辉煌历史 1999年，《洛杉矶时报》评选出了“本世纪经济领域50名最有影响力人物”，并列第一的是美国发明家维廉·肖克利（William Shockley，1910-1989）、罗伯特·诺伊斯（Robert N.Noyce，1927-1990）和杰克·基尔比（Jack S.Kilby）， transconductance(跨导)的前缀与varistor(可变电阻)的后缀构成一个新词transistor(晶体管)，1957年获得诺贝尔物理学奖。 晶体三极管 1947 集成电路 1958 集成电路 1958 贝尔实验室 肖克利 巴丁 布拉担 肖克利实验室 （1955）硅谷 仙童 （1957） Intel （1968） 两次获得诺贝尔物理学奖 AMD 1969 罗伯特 诺伊斯年龄最大属于硅谷财富、威望和成就三位一体的圣人!创办了仙童和英特尔公司! 罗伯特 诺伊斯 巴丁 第一章　常用半导体器件1.3 晶体三极管 双极型：参与导电的有空穴和电子两种载流子。 分类： 按材料：硅管、锗管 按功率：大功率、中功率、小功率 按工作频率：高频管、低频管 （Bipolar Junction Transistor,简称BJT） 一、晶体管的结构和类型 两种结构类型：NPN、PNP 1. 由三层半导体组成，有三个区、三个极、两个结。 2. 发射区掺杂浓度高、基区薄且掺杂浓度低、集电结面积大 B E C B E C （1）因为发射结正偏，所以发射区向基区注入电子 ，形成了扩散电流IEN 。同时从基区向发射区也有空穴的扩散运动，形成的电流为IEP。但其数量小，可忽略。 所以发射极电流I E ≈ I EN 。 （2）发射区的电子注入基区后，少部分遇到的空穴复合掉，形成IBN。所以基极电流I B ≈ I BN 。大部分到达了集电区的边缘。 二、晶体管的电流放大作用 1.内部载流子的运动 IBN （3）因为集电结反偏，收集扩散到集电区边缘的电子，形成集电极收集电流ICN 。 另外，集电结区的少子形成漂移电流ICBO。 2.电流之间的分配关系 IB = IBN +IEP- ICBO IC = ICN +ICBO IE = ? IE = IEN + IEP= ICN +IBN+ IEP IBN 三极管各区的作用: 发射区向基区提供载流子 基区传送和控制载流子 集电区收集载流子 发射结加正向电压 集电结加反向电压 三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压， 才能起放大作用。 外部工作条件： 发射结加正向电压即发射结正偏； 集电结加反向电压即集电结反偏。 3.晶体管的共射电流放大系数 为了反映扩散到集电区的电流ICN与基区复合电流IBN之间的比例关系，定义共发射极直流电流放大系数β为 含义是：基区每复合一个电子，则有β个电子扩散到集电区去。 其中，穿透电流 很小，近似认为： 发射区掺杂浓度高，基区很薄，是保证三极管能够实现电流放大的关键。 三、晶体管的共射特性曲线 1.输入特性曲线 iB=f (uBE)? uCE=CONST C B E B是输入电极，C是输出电极，E是公共电极。 iB是输入电流，uBE是输入电压，加在B、E两电极之间。 iC是输出电流，uCE是输出电压，从C、E两电极取出。 1. Uce=0V时，发射极与集电极短路，发射结与集电结均正偏，实际上是两个二极管并联的正向特性曲线。 2. 当Uce ≥1V时， Ucb= Uce - Ube 0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，且基区复合减少， IC / IB 增大，特性曲线将向右稍微移动一些。但Uce再增加时，曲线右移很不明显。通常只画一条。 现以iB=60uA一条加以说明。 （1）当uCE=0 V时，因集电极无收集作用，iC=0。 （2） uCE ↑ → Ic ↑ 。 （3） 当uCE ＞1V后，收集电子的能力足够强。这时，发射到基区的电子都被集电极收集，形成iC。所以uCE再增加，iC基本保持不变。 同理，可作出iB=其他值的曲线。 2.输出特性曲线 iC=f (uCE)? IB=CONST 饱和区: iC受uCE显著控制的区域，该区域内uCE的数值较小，一般 uCE ＜0.7V(硅管)。 发射结正偏，集电结正偏 截止区：——iB=0的曲线的下