CMOS模拟集成电路设总复习.pptVIP

1.MOS器件原理 2.电流镜 3.带隙基准 4.反相器（三种类型） 5.差分放大器 6.共源共栅放大器 7.输出放大器 8.运算放大器 知识点 差分放大器 AVD：差模增益 AVC：共模增益 AVD/AVC：共模抑制比 VICMR：共模输入电压范围 理想差放 差模输入电压 共模输入电压 差动工作方式优点： 抑制共模噪声 增大了可得到的最大电压摆幅 偏置电路相对简单 线性对相对高 电流镜负载差分放大器 大信号分析——输入共模范围ICMR 求ICMR方法：令vID=0,改变vIC直到有一个管子退出饱和区。 最小输入共模电压： 最大输入共模电压： 电流镜负载差分放大器 差分放大器的增益 差分放大器的输出电阻 小信号分析——增益、输出电阻、-3dB带宽 差分放大器的-3dB带宽 电流镜负载差分放大器 例.设计电流镜负载差分放大器以满足以下指标： （1）差模增益100V/V；（2）-1.5VICMR2V；（3）Pdiss1mW 已知VDD=2.5V;VSS=-2.5V，假设尾电流为100uA，所有管子L=1um。 1.最大共模输入电压约束条件： 电流镜负载差分放大器 2.小信号增益约束条件： 3.最小共模输入电压约束条件： 1.MOS器件原理 2.电流镜 3.带隙基准 4.反相器（三种类型） 5.差分放大器 6.共源共栅放大器 7.输出放大器 8.运算放大器 知识点 共源共栅放大器 共源共栅放大器的大信号分析——所有管子饱和的输出电压范围 1.所有管子饱和时的输出电压最大值VOMAXSAT 2.所有管子饱和时的输出电压最小值VOMINSAT 共源共栅放大器 共源共栅放大器的小信号分析 ——输出电阻、增益、-3dB带宽 1.输出电阻 2.小信号增益 3.-3dB带宽 高增益和高输出电阻的共源共栅放大器 大信号分析——所有管子饱和的输出电压范围 1.所有管子饱和时的输出电压最大值VOMAXSAT 2.所有管子饱和时的输出电压最小值VOMINSAT 1.输出电阻 2.小信号电压增益 高增益和高输出电阻的共源共栅放大器 共源共栅放大器的小信号分析 ——输出电阻、增益、-3dB带宽 3.-3dB带宽 例.采用表3.1-2的参数对比下图两个共源共栅放大器的增益和输出电阻的大小。假设漏电流均为200uA，所有管子的W/L=2um/1um。 共源共栅放大器 解：左图所示简单共源共栅放大器 右图所示共源共栅放大器 例.求下图电路的小信号电压增益和输出电阻。设每个管子的直流电流为100uA，所有管子工作在饱和区且宽长比均为10um/1um。 共源共栅放大器 解： 1.输出电阻为 2.增益为 计算可得 1.MOS器件原理 2.电流镜 3.带隙基准 4.反相器（三种类型） 5.差分放大器 6.共源共栅放大器 7.输出放大器 8.运算放大器 知识点 CMOS模拟集成电路设总复习 1.MOS器件原理 2.电流镜 3.带隙基准 4.反相器（三种类型） 5.差分放大器 6.共源共栅放大器 7.输出放大器 8.运算放大器 知识点 P--Si P型Si衬底(Semiconductor) N+ N+ 栅极(Gate） 金属 ( Metal ) Al层 G D S 氧化物(Oxide) SiO2层 器件结构 MOS器件原理 P--Si G D S N+ N+ VGS 0时, 在栅极下面的二氧化硅中将产生一个指向P型衬底、且垂直衬底表面的电场。电场排斥空穴，吸引电子到半导体表面。 反型层 VGS越大吸引到半导体表面的电子就越多，当VGS VT时，吸引到栅极附近P型硅表面的电子积累形成N型反型薄层。器件表面的导电类型从原来的P型反型到现在的N型，导电沟道形成。 VGS MOSFET的工作原理—导通过程 继续增大VGS可使形成的反型层增宽(N型导电沟道)，将源区和漏区连接起来。VGS越大,反型层越宽, 源漏间的导电能力越强。 P--Si G D S N+ N+ 反型层 VGS 将开始形成反型层所需的VGS 值称为开启电压VT ,也称为阈值电压。 开启电压VT是增强型MOSFET的重要参数，其大小主要取决于SiO2层的厚度以及衬底掺杂浓度。 MOSFET的工作原理—导通过程 器件导通以后，此时在漏源之间加上电压VDS便会产生漏极电流 ID , 随着VDS的增加ID增加。 由于沟道存在电位梯度,栅极靠近源极的电位为VGS ,而栅极靠近漏极的电位则为VGD＝VGS－VDS，靠近漏极的电场较弱，使沟道形状成楔形。当VDS＝VGS－VT 时，导电沟道被夹断。沟道夹断后，源漏之间等效为一个很大的电阻，电流不会随着VDS增加，达到饱和。 P--Si G D S N+ N+ VDS VGS ID MOSFET的工作原理—饱和过程 MOSFET的工作原理—输入、输出特性曲线 VGS(V) VT