漏压对P-GaN HEMT导通电阻和阈值电压的影响.docx

在过去的十几年里,GaN器件已经成为半导体技术领域的研究热点之一,具有很高的研究和应用价值[1]。与传统硅器件相比,GaN器件具有高击穿电压、低导通电阻(Ron)和快速开关速度的优势,但AlGaN/GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor)会不可避免地受到电子陷阱的困扰[2,3]。陷阱引起的载流子俘获和去俘获过程会导致动态导通电阻[3]和阈值电压(VTH)变化[4],从而导致额外的传导或开关损耗,甚至引起故障。因此,陷阱引起的稳定性问题对于P-GaN HEMT尤为重要。过去的研究内容[5,6,7]表明P-GaN HEMT阈值电压VTH和导通电阻Ron