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氢分布检测技术在氢渗透和氢脆研究中的应用 氢（h）在微观结构中的扩散和分布是材料氢脆的重要因素。因此，我们必须了解h在原子尺度上如何与微观结构相互作用。例如，h材料的位置分布与微观结构、h浓度的测量（尤其是局部h浓度的测量）以及氢脆的性质。氢在金属中存在的位置可以是基体点阵中的间隙位置，也可以是空位、位错、晶界以及夹杂物或析出相的界面，如图1所示。H原子半径小、质量轻且易移动，在常温下也易于扩散，同时机械应力梯度、组织成分不均匀和温度梯度都会导致H在材料中的不均匀分布，在较低的氢浓度下，就会导致材料的脆性断裂。也因此，传统的元素分析方法（如X射线能谱（EDX）和俄歇电子能谱（AES）等）很难准确测量H并将其在材料中精确定位出来。 目前，测量H分布的常用方法主要有三维原子探针（APT）、扫描开尔文探针力显微镜（SKPFM）、二次离子质谱（SIMS）以及氢微印技术（HMT）等。测量H浓度常用的方法是氢热脱附法和熔融/热萃取法，当然还有传统的排油集气法，但目前已较少使用。下面分别一一进行详细介绍。 1 氢检测技术 1.1 原子检测技术pt 1.1.1 h在材料中的定量分布 原子探针（APT）是一门先进的技术，可以提供元素在接近原子尺度的三维可视化的定量分布，尤其是质量很轻的H原子也可以被检测，这为探究H在材料中的准确分布提供了可能 1.1.2 apt检测h分布的优化方法 Jiang 2010年，Takahashi等 2017年，Chen等 由上可知，关于H在钢中的分布，特别是与析出相的位置关系，其研究观点不一致，即便是同一作者，前后也会有不同的结论。H分布的实时检测之困难由此可见一斑。由于APT试样小，通常为针状，直径通常小于100 nm，制备难度大，且H易于扩散，很容易从试样中逸出，因此试样应当在低温下保存，并且样品室也应保持低温。此外，在真空条件下，样品室中也会残留有少量的氢，这会对检测结果有一定的影响，而采用H的同位素D代替，可以排除其影响，是一种有效的方法。综上，未来利用APT技术，是有可能将H在钢中的存在位置，特别是H与晶界、位错、析出相等的真实位置关系搞清楚，这也一直是业内工作者的追求。 1.2 扫描开口积分法显微镜skpfm 1.2.1 高灵敏表面电化学测量 Kelvin探针（SKP）是一种基于振动电容的非接触无损气相环境金属表面电位的测量技术，用于测量材料的功函数或表面势，可以检测气相环境中因温度、湿度、表面化学等因素引起的材料表面电势的微小变化（如测定气相环境中腐蚀电极的表面电位），是一种高灵敏的表面电化学分析技术 1.2.2 h分布的稳定性 Wang Tohme等 本课题组Li 综上，利用SKPFM扫描可以获得样品表面的电势，这一技术提供了表面电势随时间变化的直观物理图像。通过电势图像的变化，可以判断H在金属中的局部分布和变化情况。但是由于试样表面粗糙度以及微观结构的不同，都会对表面电势产生影响，而H分布是通过表面电势分布来表示的，直接通过电势高低来比较不同微观结构的H分布不可靠。为解决这一问题，通常会在试样表面镀Pd。另外，SKPFM测试时没有参比电极，不能将电势直接转换为H浓度，因此通过了解表面电势的分布与变化，仅能知晓H的分布以及随时间变化的趋势。 1.3 二次离子质量分析sims SIMS源于20世纪60年代，优点之一是灵敏度高，最低可测量浓度达到10 1.3.1 次离子质谱法 SIMS仪器包括2种类型：一种是飞行时间二次离子质谱仪；另一种是磁偏转二次离子质谱仪。两者的区别在于，由样品表面轰击出的二次离子是由飞行时间还是磁偏转进行质谱分离的。目前常用的是飞行时间二次离子质谱仪（TOF-SIMS）。常规的TOF-SIMS仪器由真空系统、离子枪、二次离子飞行通道、质量检测系统组成 1.3.2 h分布的定量表征 在H的检测方面，SIMS经历了从静态检测到动态检测的发展历程。最初，SIMS用来研究H在试样深度方向或者距离裂尖不同距离的分布，但只能得到强度峰谱，因此只能根据峰强进行浓度转换。本课题组 但是，SIMS方法在H分布检测方面还存在着一些局限性，如对不同的微观结构以及不同原子的解离难易程度都不一样，只能直观地观察H的分布情况，对H含量难以定量表征。由于仪器的工作条件是高真空环境，需要长时间进行抽真空处理，而H在某些金属材料（如马氏体钢和铁素体钢等）中的扩散速率很快，所以在SIMS检测前，部分可扩散H可能已经逸出，检测的H分布并不能完全代表充氢后的即时分布。三维H分布测试时，需要进行离子溅射，而离子溅射过程会造成H的逸出，所以对于H的三维检测并不准确，检测出的只是某些深陷阱处的H。因此，对于扩散速率较高的样品，需要在低温下进行实验，以降低H的扩散。此外，除了样品室中的残余H，样品表面可能残余的水和有机物也都