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微全息存储技术在c中的应用 1 微全息存储技术 随着计算机和多媒体技术的发展，处理存储的数据量急剧增加，人们对存储长距离信息的技术的需求也越来越紧迫。光盘存储技术已成为当代信息社会中不可缺少的信息载体,但是光盘存储是二维的光存储技术,将数据按“位”的形式记录在介质盘的表面,能分辨的最小记录符尺寸受到远场光学衍射极限的限制。发展和研究近场光学存储技术是进一步提高二维光存储的密度和容量的途径之一。如果将光存储技术从二维发展到三维,存储密度将得到大幅度提高。体全息存储技术是20世纪60年代随着激光全息术的发展而出现的一种高密度三维光存储技术。与其他光学信息存储技术相比,体全息技术在存储容量方面有着巨大的优势,其存储容量理论上限可以达到V/λ3(V为存储材料体积,λ为记录光波长)。再加上体全息图具有冗余度高、数据可并行读取和读取速率快等独特优点,体全息存储技术被认为是颇具潜力的下一代海量信息存储技术,因此近几十年来得到了广泛的研究。 体全息存储技术在发展之初以 “页面式”存储系统为主流,即以整幅数据页的并行存取为主要特征,采用双光束干涉实现信息的记录,利用光栅的衍射实现信息的再现。每个全息图代表一个二维数据页,可以包含约1 Mbit的数据信息,所以这种技术在存储容量和数据的存取速率方面有独特的优势,但是系统需要用到空间光调制器、图像探测器等器件使系统结构复杂、成本较高,并且与现有光盘存储系统、计算机系统兼容性差,所以在实用化进程中受到限制。微全息存储的方法是20世纪末提出的,它结合了传统光盘按“位”存储的概念和体全息记录的原理,用微全息图代替传统光盘存储的凹坑式点位,在记录材料内生成极小的反射全息图,每个全息图代表1 bit数据信息,所占空间为微米量级,因此称为微全息存储,也称为 “位”式体全息存储技术。微全息存储可以利用波长复用、角度复用或者波长与角度的混合复用等技术实现多重全息图复用记录,还可以利用深度复用实现信息的多层记录,增加存储的密度和容量,有望在直径120 mm的单盘内实现1 TB的存储容量。微全息存储一定程度上来说是目前光盘存储技术的三维扩展,其系统结构和传统的光盘系统结构类似,很容易发展与传统光盘系统的兼容性。因此,微全息存储技术一经提出就受到了广泛的关注和持续的研究,许多大学、公司等机构的研究人员对这种新型的存储技术进行了全面深入的研究,使得微全息多层光盘存储技术取得了一系列进展。 本文先阐述微全息存储的基本概念和原理,然后主要从存储材料、复用技术和实现的存储密度以及微全息存储的写读驱动系统来综述微全息存储技术的研究进展和取得的成果,并对微全息存储技术的未来发展做了展望。 2 微全息体光栅衍射原理 微全息存储的概念和原理性示意图如图1所示。图1(a)给出了 按“位”存储的基本概念,每个数据位是一个反射式全息图,全息图大小约10 μm,相邻全息图间隔1～2 μm;图1(b)为反射式微全息图记录的光路配置。记录时采用两束相向传播的高斯光波分别作为物光和参考光进行干涉,即强度受到记录信息调制的激光直接入射到光学器件后聚焦于记录材料的光波作为物光波,经过材料下方的反射元件反射后的光作为参考光波,两光波在焦斑范围内发生干涉,材料就把这个干涉图样记录下来即形成微全息图。数据读出时,移走图中所示的反射元件,入射光照明已记录的全息图,通过全息图的衍射,再现出已存储的数据信息。利用适当的复用技术可以进行多重全息图的存储。 对于高斯光束的聚焦光斑,其光能量集中于焦斑范围内,所以这里考虑微全息图仅存在于焦斑范围内,折射率调制度随着离焦斑中心距离的增加而快速减小。令y方向表示光束横截面的任意径向,z方向为入射光波矢量传播的方向,微全息图二维的折射率分布可以写为 n(y,z)=n0+ΔnG(y,z),(1)n(y,z)=n0+ΔnG(y,z),(1) 式中n0是材料的初始折射率,Δn为最大的折射率调制度,G(y,z)是采用归一化强度定义的光栅函数,表述为两束相向传播的高斯光束干涉场的调制度: G(y,z)=1211+(z/zR)2exp[?2y2w20(1+z2/z2R)]×{1+11+(z/zR)2[(1?(z/zR)2)]cos?(y,z)+2zzRsin?(y,z)},(2)G(y,z)=1211+(z/zR)2exp[-2y2w02(1+z2/zR2)]×{1+11+(z/zR)2[(1-(z/zR)2)]cos?(y,z)+2zzRsin?(y,z)},(2) 式中w0是高斯光束的束腰半径,zR是高斯光束焦斑中心到光束半径为2√ω02ω0处的距离,?(y,z)为相位函数, ?(y,z)=Kz+2zy2/zRω20(1+z2/z2R),(3)?(y,z)=Κz+2zy2/zRω02(1+z2/zR2),(3) K为所形成的微全息体光