以浙江应用技术研究引领浙江产业发展中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心.docxVIP

以浙江应用技术研究引领浙江产业发展中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心 助推地方经济发展 中国科学院嘉兴电子科学技术中心是由中国科学院和兴兴市共同建立的浙江省应用技术研究和转化中心下属部门。其宗旨和目标是依托中科院雄厚的研发力量、人才优势和综合技术实力,结合嘉兴及周边地区发达的产业基础、灵活机制、创新体制以及强有力的政府支持,开展ALD薄膜生长设备、太阳能电池制造设备以及LED制造设备的技术研发与应用。提高中国的微电子成套设备研发能力,并且促进地方经济的发展。 中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心是中国科学院微电子研究所与嘉兴市人民政府共同组建的技术转移转化、研发、中试和高新技术产业孵化的创新平台机构,是嘉兴市编委批准设立的自收自支的事业单位。现有研发区面积3000余平方米,位于南湖科技城内,中试孵化区面积1280平方米,位于中科院嘉兴中心中试产业化基地,并正在规划建设10亩的产业示范区。研发团队现有21人,其中博士生导师3人,中科院“百人计划”特聘研究员3人,博士学位10人,在读博士生6人,硕士4人。工程中心申请了国家重大科技专项“4 5 nm以下颗粒检测与化学沾污检测集成系统的研发”项目。 中心定位于产业应用技术研究、战略性新兴产业培育、科技成果转移转化、支撑浙江经济发展为核心。以中国科学院的技术、人才为依托,面向国际竞争,面向浙江经济社会的发展需求,以突破重大产业核心技术和引领地方未来产业发展为目标,组织前瞻性工业技术和应用研发,促进中科院项目和成果在浙江进行产业化和商品化,满足浙江大量中小企业对新技术和新成果的需求。 高效黑硅太阳电池技术开发 国家重大科技专项“45nm以下颗粒检测与化学沾污检测集成系统的研发” 国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”2011年度启动项目“45～22nm化学与颗粒污染检测方法和设备的研发及产业化”,中心作为课题责任单位承担课题“45nm以下颗粒检测与化学沾污检测集成系统的研发”。 该课题的目标是针对集成电路45nm以下工艺的颗粒检测与化学污染,研究其颗粒检测技术、化学污染检测技术及颗粒检测与化学污染的系统集成,提高检测精度到5×108原子/平方厘米,以提供目前国内45～22nm节点新工艺、新材料研发所需要的颗粒检测和化学污染检测设备,同时取得自主知识产权,提高我国集成电路产业的核心科技水平和竞争能力。 目前已完成总体技术方案的论证工作,试验系统的关键部件已完成订货,大部分已到位,其中移动平台、检测平台、校准定位系统已装配完毕,校准定位系统已完成前期的开发工作,正在调试之中。 新型黑硅太阳能电池产业化关键设备及配套工艺研究 (1)黑硅材料关键技术研究:基于研究团队的原创性发明,研究等离子体浸没离子注入技术大规模黑硅材料制备技术。其中包括研究注入工艺参数对黑硅材料组织结构、反射率和表面损伤等特性的影响;研究黑硅表面微结构的光子陷阱作用;研究黑硅表面微结构形成机理,建立等离子与硅表面作用的动力学和热力学模型;研究黑硅材料的结构对红外吸收率的影响,提升材料的红外吸收利用。 (2)高效黑硅太阳电池关键技术研究:基于利用等离子体浸没离子技术制备的黑硅材料,研制高效黑硅太阳电池,研究传统的工艺制备技术对黑硅太阳电池性能的影响,包括扩散工艺参数、钝化技术、丝网印刷和烧结工艺;研究传统工艺的替代技术,包括利用浸没注入技术制备PN结、新型的钝化技术(液相沉积钝化层、双层钝化)、新型的电极制备技术(蒸镀制备铝背场、银回流技术制备栅极、选择性扩散制备栅极);研制黑硅异质结太阳电池器件;研究黑硅太阳能电池光生电子-空穴对的高效产生、分离、输运和收集机制。 (3)高效黑硅太阳电池成套工艺及生产线:基于黑硅材料和太阳电池关键技术研究结果,研制黑硅材料的批量生产设备,实现黑硅材料的批量生产;研制黑硅太阳电池匹配的新工艺设备,开发高效黑硅太阳电池的成套工艺;建设国际上首条25MW黑硅太阳电池生产示范线。 目前利用自行研制的等离子体浸没离子注入机制备了多种微观结构的黑硅材料,在可见光波段黑硅的平均反射率为0.5%,与飞秒激光制备黑硅的反射率相当,同时该工艺适应大批量制备,成本低,制备的多晶黑硅太阳能电池(156mm×156mm,多晶)批量平均效率高达1 7.46%,相比传统工艺提高0.5～0.7个百分点。 原子层沉积系统系列研发 原子层沉积技术是一种有序的气相薄膜生长技术,具有良好的保形性、均匀性和高的台阶覆盖率,通过原子层沉积氧化铝薄膜对硅片表面进行钝化,可以大幅度提高太阳能电池效率,被业界普遍认为是未来新一代晶硅太阳能电池技术发展的重要趋势。中心研制的原子层沉积系统系列可广泛应用于各大领域的的新型设备。KMT-200A原子层沉积系统是专门为科学研究与工业开发领域的用户而设计的单片沉积系统。该系统电