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稀磁半导体材料的研究进展 李自成的地质学是一门新的理论和交叉学科，具有丰富的物理现象和巨大的应用价值。稀磁半导体材料在同一器件上结合了凝聚态的两大分支:半导体(利用了电子电荷的自由度)和存储材料(利用了电子自旋的自由度)。还有不少学者深入半导体材料的热电性能研究以及纳米金属硫族半导体材料的研究。 新近发展的自旋电子学期望在同1种物质中同时运用电子的电荷和自旋,以GaAs/(Al,Ga)As系统为基础的异质结构对于新物理及其器件的发展提供了方便的测试平台,从而为Ⅲ-Ⅴ族磁性半导体的引入打开了在当前已存在的光电器件基础上利用多种多样磁现象的大门。但是磁电子器件的工作环境要求磁性半导体的居里温度(Tc)在室温或室温以上,而未经低温退火处理的(Ga,Mn)As样品和(In,Mn)As样品的最高Tc分别为110 K和90 K,远不能满足实际工作的要求。本征的GaAs材料中,Ga提供3个价电子,掺杂1个Mn离子可获得1个空穴,为p型掺杂。随后,在p型掺杂的(In,Mn)As中发现空穴导致的铁磁性进一步激励人们研究Ⅲ-Ⅴ基DMS的兴趣。但是从实际应用的角度,合成具有较高居里温度Tc(高于室温)的DMS才具有较广泛的用途。最近,SATO等在计算中预测了在Cr和Mn掺杂的GaAs中将出现较高的居里温度Tc。但是直到最近,实验报道的(Ga,Mn)As具有的最高Tc只有150 K。本文作为理论研究没有确定具体材料,而是对p型材料的居里温度进行具体研究,得到的结果可望为获得具有高居里温度的DMS材料提供参考。 1 模型选择 1.1 tm离子浓度 从实验报道可知,DMS的居里温度是与过渡金属(TM)的浓度以及空穴浓度成正比例的。根据DIETL等的研究: 式中:x为TM离子的浓度;p为空穴浓度;C是与基质材料有关的常数。 1.2 影响因素函数。影响局部比 文献中的理论证明,反铁磁性交换作用对居里温度有影响,具体的影响程度可由下面的函数来表示: 式中:Tc0与Tc分别为不考虑和考虑反铁磁性交换作用时的居里温度;k为磁性离子浓度与空穴浓度的比值;y为反铁磁性交换作用的相对强度。 1.3 空穴浓度对材料居里温度的影响 同种基质材料在掺杂不同的金属元素时,由式(1)可以看出,随空穴浓度的增加,材料的居里温度也升高。由式(2)可知,在考虑了反铁磁性交换作用之后,居里温度会降低,且降低的程度与空穴浓度有关。本文对同种基质材料掺杂不同元素的居里温度进行对比分析。 2 掺杂的情况 为了使理论计算具有实用价值,选用室温(300 K)为计算温度,并做如下表述和假设: 1)记基质材料中被取代原子的数密度为N,价电子数为c。 2)掺入杂质的浓度为x,掺入的杂质完全取代基质材料中被取代原子的位置。所有计算过程中,掺杂浓度的x相同。 3)掺杂的杂质在室温下处于强电离温度区,掺入的杂质完全电离,本征激发可忽略不计,此时的多子浓度等于杂质电离所产生的多子浓度。 4)记杂质分别为A和B,A的价电子数为a,B的价电子数为b,则杂质A对应低价元素,杂质B对应高价元素。 5)若ac,则掺杂A为n型掺杂,若ac,则掺杂A为p型掺杂;若bc,则掺杂B为n型掺杂,若bc,掺杂B为p型掺杂。 6)本文仅讨论p型掺杂的情况,即:ac且bc。 7)设1个A原子掺杂时可得到s=c-a个空穴,1个B原子掺杂时可得到k=c-b个空穴,且sk。 2.1 掺杂p型材料的居里温度 居里温度的表达式(1)中,居里温度Tc表示为掺杂浓度x和空穴浓度p的二元函数。分别计算杂质A和B掺杂时的空穴浓度p:由于是p型掺杂,空穴浓度即为多子浓度,等于掺杂浓度x、基质材料中被取代原子的数密度为N、1个原子掺杂时得到的空穴浓度s或k三者之积。即:掺杂A的空穴浓度为pA=s Nx,掺杂B的空穴浓度为pB=k Nx,则可以将居里温度用下面的函数表示: 令g=Tca/Tcb,将式(3)和式(4)代入,考虑本文的假设sk,整理得: 至此,本文的第1个结论由式(5)证明:不考虑反铁磁性交换作用,同种基质材料掺杂不同的金属元素,低价元素掺杂形成的DMS材料其居里温度较高。 考虑掺杂3d过渡金属的情形,Cr只有1个价电子,Mn有2个价电子(其余的均大于/等于3个价电子,不予考虑),对于特定的基质材料(如GaAs,Ga的价电子数为3),则掺杂Cr和Mn均能得到p型DMS材料,1个Cr原子参杂时可得到s个空穴,1个Mn原子参杂时可得到k个空穴,显然sk,由式(5),掺杂Cr的居里温度高于掺杂Mn的居里温度。这个计算结果与用平均场近似的海森堡模型计算的结果是相符合的。 2.2 u3000考虑反铁磁性交换作用时的居里温度 居里温度的表达式(2)给出了考虑反铁磁性交换作用与不考虑反铁磁性交换作用时,居里温度的相对大小用反铁磁性交换作用的相对强度y以及磁性离