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纳米结构的研究与应用纳米材料和纳米结构 1 国内会议研究 张立德，中国科学院固体物理研究所所长，博士点带头人。“九五”攀登计划预选项目“纳米材料科学”首席科学家。1939年出生。1964年北京大学物理系毕业, 1967年中国科学院金属研究所研究生毕业。曾多次主持国家、院部级重大科研项目, 取得多项科研成果, 曾获国家、院部级奖5项, 获发明专利7项, 发表SCI索引的论文130余篇, 国际会议邀请报告4次, 国内会议邀请报告19次, 出版专著和编著多部。 解思深中国科学院物理研究所研究员, 博士生导师。1942年出生。1965年北京大学物理系毕业, 1983年获中国科学院物理研究所博士学位。1984—1986年在美国克罗拉多大学从事博士后研究。1987—1991年从事高温超导体的合成、相关系、结构和物性研究;1991年至今从事纳米材料和介观物理研究。与他人共同发表SCI论文100余篇, 专著1部, 国际会议邀请报告10余次。获发明专利1项。曾获国家、院级奖3项, 中国材料学会桥口隆基奖和何梁何利奖。 2 纳米结构材料的研究 纳米科技是21世纪科技领域的三大热点之一, 是信息和生命科学进一步发展的共同基础。当前, 国际上关于纳米材料和纳米结构的研究出现了新的趋势: (1) 准一维纳米材料, 包括纳米碳管、纳米线、纳米丝、纳米棒和纳米电缆等, 形成了新的研究热点; (2) 纳米组装材料和纳米结构微阵列的制备科学和技术的研究出现了新的苗头; (3) 对于纳米材料奇特物性起因的研究不断深入; (4) 纳米材料和纳米结构的应用研究不断引起人们的重视。纳米材料和纳米结构的制备技术与其它技术相结合, 拓展了人们创新的思路。根据国际上纳米材料和技术研究的动向, 结合我国的实际情况及研究积累, 该项目选择了准一维纳米材料和纳米结构、纳米材料和纳米结构的稳定性、纳米尺度下物理量的测试和表征方法等作为研究的重点内容, 其研究成果将为我国在世界纳米科技领域保持领先地位打下坚实的基础。 3 研究 该项目于1999年11月正式启动, 实施期限5年。经两年多的研究, 取得了以下主要进展: 3.1 纳米结构材料的合成 发展了超细纳米碳管的制备技术、电沉积高密度金属片状厚膜的制备技术、有序模板与CVD、电沉积相结合合成半导体和金属微阵列的技术、硅衬底上纳米碳管和纳米半导体定向生长技术, 并成功地制备了各种准一维纳米材料和纳米结构材料。 (1) 用苯热合成方法合成了多壁碳纳米管。 (2) 光诱导下超双亲二元协调纳米结构的设计与制备技术。 (3) 仿生超双疏纳米结构二元协调界面的设计与合成技术。 (4) 有序纳米结构微阵列的制备技术。 (5) 纳米复合陶瓷制备和成型技术。用放电等离子快速烧结法在550°C得到了高致密化的ZnO纳米陶瓷, 比用微波烧结的致密化温度低300多度。 (6) 发展了单根纳米碳管和纳米线的测量技术。 3.2 在纳米晶中的生长和表达 (1) 利用有序氧化铝模板与CVD相结合合成出纳米Si、Ni、TiO2和GaN线微阵列, 有序面积达几百微米, 密度为每平方厘米几百至几千Gbit, 并用高分辨截面像对结构进行了表征。利用模板与电沉积相结合的方法成功地合成了银、镉、铜、铁钴镍纳米微阵列, 有序面积为几百微米。对过渡金属铁钴镍纳米微阵列的微磁学特性进行了初步研究, 发现磁滞洄线变窄, 饱和磁化强度增加, 居里点温度显著降低。这些现象在传统材料和无序分布的纳米晶中均不出现。 (2) 在硅衬底上实现了半导体量子点、纳米管和纳米线阵列生长。特别是, 利用传统的磁控溅射和有序花样相结合, 成功地在硅衬底上生长出高密度III-V族半导体量子点有序阵列。通常只有利用MBE和激光诱导CVD方法才能制备这种高密度量子点阵列, 用传统技术和纳米技术相结合制备有序半导体量子点阵列在技术上是一个创新。 (3) 利用气相输运催化法和有序模板方法制备了III-V族、II-VI族和IIII半导体准一维纳米线和纳米微阵列, 并对结构进行了表征。这些工作在影响因子大于3的杂志上发表, 在国际上产生了影响。 3.3 天然纳米材料的铁磁电导率 (1) 利用SiC添加到Al2O3中, 其抗弯强度达到1.0GPa。添加到Al2O3-ZrO2中, 抗弯强度达到1.2GPa。这些与当今纳米复合陶瓷国际先进水平处于同一挡次。 (2) 在天然纳米材料锰氧化物Pr1/2Sr1/2MnO3和Nd1/2Sr1/2MnO3的一级相变点温区发现由反铁磁态到铁磁态转变引起的巨大磁熵变效应。在尖晶石铁氧体中发现了巨磁电阻效应, 室温0.5特斯拉磁场下, 巨磁电阻高达158%。在钴铁合金颗粒膜中发现了反常的巨霍尔效应。这些现象当前国际上尚未见报道。 3.4 碳纳米管内涵表面小尺度稳定性的研究 (1) 采用等价