射频直交比对四极质量分析器性能影响分析.docxVIP

? ? 射频直交比对四极质量分析器性能影响分析 ? ? 邱云涛，冯 焱，成永军，陈 联，冯天佑，宋 伊，魏宁斐，冉 欣，郭 文 （兰州空间技术物理研究所 真空技术与物理重点实验室，兰州 730000） 0 引言 由于四极质谱仪具有体积小、结构简单、有良好的分辨率和灵敏度、调整和操作简便、工作压力范围宽以及响应速度快等优点，在气体分析及分压力测量中得到了广泛的应用。四极质谱仪是由离子源、孔电极、四极杆分析器和离子收集极等组成。四极杆分析器是质谱仪的核心部件，由四根对称排列的双曲面四极杆组成，两个对称的极杆彼此连接，两对极杆之间加直流电压和高频电压，直流电压和高频电压幅值保持一定比值。 对四极杆上的射频参数进行适当调试，可以提高四极质谱仪的性能指标。本文利用四阶龙格库塔法在Matlab软件中对离子在四极质量分析器中的运动进行数值模拟仿真，并对四极质谱仪研制样机进行射频参数调试实验，以验证仿真结果[1-3]。 1 四极质量分析器原理和建模 1.1 四极质量分析器原理 四极质量分析器结构图如图1所示。在四根金属材料圆形极杆上施加直流电压叠加高频交流电压的射频电信号，四极杆内部形成四极电场区域。离子在四极场的X-Y方向只受到电场力的作用，这种四极场产生的力将离子向四极场中心轴处拉拢聚焦，离子在Z方向不受电场力。 图1 四极质量分析器结构图Fig.1 Schematic diagram of quadrupole mass analyzer 在直流叠加射频电压的作用下，分析器内部产生电场如式（1）。 式中：φ为四极场中电位分布；U为直流电压；V为射频交流电压；ω为射频交流电压角频率ω=2πf，其中f为射频频率；r0为四极滤质场半径；x、y、z为四极场中的空间位置坐标；t为时间。 一般情况下，在离子源处被电离后的离子失去一个电子带一个正电荷，所以离子一般所携带的电荷量e的值为电荷常数1.6×10-19C。当质荷比为m/e的离子沿Z轴进入四极场时，在电场力的作用下离子的运动方程如式（2）[4]。 式中：e为电荷量；m为分子或原子的质量。该式表明，离子在Z方向作匀速运动，在X、Y方向为震荡周期运动，X、Y方向的周期运动规律为二阶微分方程，类似于Mathieu方程。采用参数变换如式（3）。 经过参数变换后离子运动方程可以写成标准的Mathieu方程如式（4）[5]。 四极场区域中离子的运动方程具有稳定解和不稳定解，X和Y方向的运动都是稳定解的区域叫做离子运动的稳定区，只有处于稳定区中的离子作稳定震荡运动时，离子才可能穿过四极场区域被分析。第一稳定区如图2所示，纵坐标为a，横坐标为q。（q，a）值落在第一稳定区中的离子运动轨迹为稳定震荡。由式（2）和式（3）可知，（q，a）值和四极滤质场半径r0，离子本身属性m、e，射频电学参数直流电压U，交流电压V，射频频率f紧密相关。在机械误差已经满足的情况下，射频电源电参数的调制极大地影响（q，a）值，从而影响四极质量分析器的性能。 图2 第一稳定区放大图Fig.2 Enlarged view of the first stable area 1.2 建立四阶龙格库塔求解离子运动的数学模型 Mathieu方程是标准的二阶微分方程，常用数值解法。四阶龙格库塔法能够很好地求解一阶线性微分方程，对于高阶方程也可以通过降阶为一阶微分方程后求解。对于一阶微分方程，使用四阶龙格库塔法的数值解公式如下[6]： 式中：h为计算步长；k1、k2、k3、k4为需要设定的参数；y为需要求解的参量。对于满足式（4）的离子运动Mathieu方程为二阶微分方程，在利用四阶龙格库塔法求解时，需要进行如式（6）的降阶变化。离子运动Mathieu方程降阶后就是式（6）中一阶微分方程，离子在X方向运动方程的四阶龙格库塔法数值解法如式（6）（7）（8）（9）[7-8]。 式中：x为离子在X方向运动的位移量，也是四阶龙格库塔法需要求解的量；g表示对x求导后的参数；F（tn，xn，gn）是式（6）中的表达式；kn和Ln是需要反复迭代得出的参数。离子在Y方向运动方程的四阶龙格库塔法数值解和X方向的求解方式相同，只需要依据式（4）改变部分参数和符号即可。 根据进入四极质量分析器入口处的离子束状态设置仿真的入口条件，离子束由离子源电离产生，再由离子透镜引出。从四极质量分析器入射的离子束具有初始位置分布和初始速度角度分布，初始位置分布的面积以四极质量分析器入口端小孔的面积为准，并且由于离子源处离子透镜的聚焦功能，离子源中被电离的绝大部分的离子入射四极质量分析器的初始位置靠近Z轴，并且离子入射的角度沿Z轴接近0°。则仿真的入口条件是离子的初始入射角度分布和初始入射位置分布均按正态分布进行计算。离子运动的初速度大小v0基于离子在离子源处获得的能量计算，如